[发明专利]一种托盘及承载装置

说明书

本发明提供了一种托盘及承载装置，托盘包括托盘本体和位于托盘本体上的绝缘体，在绝缘体上设置有多个用于承载基片的工艺位，并且，在绝缘体内设置有吸附电极，吸附电极的数量和位置与基片的数量和位置一一对应，借助每个吸附电极在其下方与直流电源电连接，以采用静电吸附方式固定与之对应的基片，并且，基片的面积大于与之对应的吸附电极的面积，用以遮挡该吸附电极。本发明提供的托盘，其可以提高绝缘体的未被基片遮挡的区域的耐压，因而在提高直流电源输出电压来保证静电吸附力的同时可以降低绝缘体被击穿的可能性，从而可以提高托盘的使用寿命，进而可以降低投入成本和提高经济效益。

技术领域

本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及一种托盘及承载装置。

背景技术

图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate，以下简称PSS)是目前较为主流的提高LED器件出光效率的衬底，通常采用干法刻蚀技术对存在掩膜图形的蓝宝石衬底进行刻蚀，以得到图像化的蓝宝石衬底。在进行PSS刻蚀工艺的过程中，为了提高单次工艺的产能，通常采用托盘承载多个基片并传送至反应腔室内的静电卡盘上，以能够同时对多个基片进行工艺加工。

图1为现有的托盘的结构示意图。请参阅图1，托盘10包括托盘本体11和位于托盘本体11上的陶瓷体12，在陶瓷体12上设置有多个用于承载基片S的多个承载位，在进行工艺之前，多个基片S一一对应放置在承载位上，并将承载有多个基片S的托盘10传入反应腔室内的静电卡盘上；在陶瓷体12内设置有平板电极层13，其厚度约0.01mm，其将陶瓷体12由上至下划分为上陶瓷体121和下陶瓷体122，在进行工艺时，将平板电极层13与直流电源DC电连接，通过等离子体起辉在基片上形成电压U(一般为对地电压)，该电压U与直流电源DC提供给平板电极层13的电压之间存在电压差，因而托盘10与基片S之间存在静电引力，从而实现采用静电吸附的方式将基片S固定在托盘10上。

上述托盘10在实际应用中不可避免的存在下述问题：由于基片S的材质为蓝宝石衬底，其静电吸附难度较大，需要很大的静电吸附力，因此往往需要直流电源DC的输出电压大于3000V，且为了进一步保证对基片S的吸附力，平板电极层13距离陶瓷体12上表面的厚度一般为0.1mm，这使得上陶瓷体121的耐压值一般在3000V左右，在这种情况下，上陶瓷层121的与基片S对应的区域在工艺过程中由于受到基片S的遮挡不容易被击穿，而上陶瓷层121的未被基片遮挡的区域(如图2中阴影区域)会承受上述大于3000V的电压，使其容易被击穿，因而造成托盘的使用寿命低，从而造成投入成本大和经济效益低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种托盘及承载装置，其可以提高绝缘体的未被基片遮挡的区域的耐压，因而在提高直流电源输出电压来保证静电吸附力的同时降低了绝缘体被击穿的可能性，从而可以提高托盘的使用寿命，进而可以降低投入成本和提高经济效益。

为解决上述问题之一，本发明提供了一种托盘，所述托盘包括托盘本体和位于托盘本体上的绝缘体，在所述绝缘体上设置有多个用于承载基片的工艺位，并且，在所述绝缘体内设置有吸附电极；所述吸附电极的数量和位置与所述基片的数量和位置一一对应，借助每个吸附电极在其下方与直流电源电连接，以采用静电吸附方式固定与之对应的基片，并且，所述基片的面积大于与之对应的所述吸附电极的面积，用以遮挡所述吸附电极。

其中，在各个所述吸附电极的下方还设置有平板电极层，每个所述吸附电极在其下方通过导线均与所述平板电极层电连接，借助所述平板电极层与所述直流电源电连接，以实现各个所述吸附电极与所述直流电源电连接。

其中，各个所述吸附电极借助在其下方设置的导线实现各个吸附电极串联，所述导线与所述直流电源电连接，以实现各个所述吸附电极与所述直流电源电连接。

其中，每个所述吸附电极与所述绝缘体上表面之间的间距的范围在0.1～0.3mm。

其中，每个所述吸附电极与所述平板电极层之间的间距≥0.4mm。