[发明专利]测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201410392190.6 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105336636B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 钟强华;孙明圣;赖李龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 结构 方法 | ||
1.一种测试结构，用于监测阱漏电流，其特征在于，所述测试结构包括：
半导体基体；
深阱，设置于所述半导体基体中；
第一阱，设置于所述深阱中；
第一掺杂区和导电类型与所述第一掺杂区的导电类型相反的第二掺杂区，设置于所述深阱和所述第一阱之间，且所述第一掺杂区的导电类型与所述第一阱的导电类型相同；
第三掺杂区和导电类型与所述第三掺杂区的导电类型相反的第四掺杂区，设置于所述第一阱中，且所述第三掺杂区的导电类型与所述第一掺杂区的导电类型相反；
焊盘，分别与所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区和所述第四掺杂区形成电连接。
2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多个所述第一阱，且各所述第一阱中的所述第三掺杂区中掺杂剂的掺杂量相同或者不相同。
3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多个所述第一掺杂区，且各所述第一掺杂区中掺杂剂的掺杂量相同或者不相同。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的测试结构，其特征在于，所述第二掺杂区呈环形，且所述第二掺杂区包围所述第一掺杂区和所述第一阱设置。
5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述第四掺杂区呈环形，且所述第四掺杂区包围所述第三掺杂区设置。
6.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述深阱为深N阱，所述第一阱为P阱，所述第一掺杂区和所述第四掺杂区的导电类型为P型，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区的导电类型为N型。
7.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：
第二阱，设置于所述深阱和所述第一阱之间，且所述第二阱包围所述第一掺杂区，所述第二阱的导电类型与所述第一掺杂区的导电类型相反。
8.根据权利要求7所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：
第三阱，设置于所述深阱和所述第一阱之间，且所述第三阱包围所述第二掺杂区，所述第三阱的导电类型与所述第二掺杂区的导电类型相同。
9.一种测试方法，用于监测权利要求1至8中任一项所述的测试结构中的阱漏电流，其特征在于，所述测试方法包括：
步骤S1、在所述测试结构中的任意一组焊盘上施加测试电压；
步骤S2、通过输出值分析定位所述测试结构中的阱漏电流。
10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在4至7组所述焊盘上施加测试电压，且在各组所述焊盘上施加相同或不同的测试电压。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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