[发明专利]电容式微机械加速度计及其制造方法

权利要求书

1.电容式微机械加速度计，其特征在于包括：硅片基座，形成在硅片基座上的绝缘层，沉积在绝缘层上的检测电容层，以及多晶硅活动结构屏蔽层，所述多晶硅活动结构层通过检测电容层的支撑悬空，所述检测电容层中心与多晶硅活结构屏蔽层中心重合，

所述多晶硅活动结构屏蔽层包括：关于质心对称的四边形质量块、第一支撑梁、第二支撑梁，所述质量块第一、第二侧边的一端分别延伸有第一、第二连接梁，质量块第一侧边、第二侧边关于质心对称，第一支撑梁通过第一连接梁与所述质量块连接，第二支撑梁通过第二连接梁与所述质量块连接，第一、第二连接梁关于所述质量块的质心对称，第一、第二支撑梁关于所述质量块的质心对称，所述第一、第二支撑梁上分别连接有锚点区；

所述检测电容层包括：结构相同的第一极板、第二极板、与支撑梁上锚点区相对应的信号引线区，所述第一、第二极板均附着有梳齿，第一、第二极板的梳齿相互交叠。

2.根据权利要求1所述的电容式微机械加速度计，其特征在于，所述多晶硅活动结构屏蔽层还包括：与所述质量块第三侧边平行放置的第一激励平板、与所述质量块第四侧边平行放置的第二激励平板，第一激励平板与所述质量块第三侧边构成第一平板电容，第二激励平板与所述质量块第四侧板构成第二平板电容，所述质量块第三侧边、第四侧边关于质心对称，所述第一、第二激励平板分别连接有锚点区，所述检测电容层还包括与激励平板上锚点区相对应的信号引线区，激励平板上锚点区通过其对应的信号引线区固定在硅片基座上。

3.根据权利要求1或2所述的电容式微机械加速度计，其特征在于，所述质量块为长方形，第一、第二侧边为长边，第三、第四侧边为宽边。

4.根据权利要求3所述的电容式微机械加速度计，其特征在于，所述质量块上留有开孔。

5.权利要求2所述电容式微机械加速度计的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，热处理硅片基座，在硅片基座表面形成二氧化硅绝缘层；

步骤2，在二氧化硅绝缘层上沉积多晶硅，在该多晶硅上构图形成第一极板、第二极板，以及用于支撑后续步骤中形成的多晶硅活动结构屏蔽层的信号引线区，构图后的多晶硅层即为检测电容层；

步骤3，在检测电容层上沉积牺牲层并构图，形成开窗区域；

步骤4，利用外延生长法在构图后的牺牲层上生长出多晶硅活动结构屏蔽层；

步骤5，对多晶硅活动结构屏蔽层进行刻蚀得到质量块、第一连接梁、第二连接梁、第一支撑梁、第二支撑梁、第一激励平板、第二激励平板；

步骤6，利用化学腐蚀方法去掉牺牲层和二氧化硅层的多余区域。

6.根据权利要求4或5所述的电容式微机械加速度计的制造方法，其特征在于，步骤3中利用等离子体增强化学气相沉积法沉积牺牲层。

7.根据权利要求4或5所述的电容式微机械加速度计的制造方法，其特征在于，步骤5中利用深反应离子刻蚀法刻蚀多晶硅活动结构屏蔽层。