[发明专利]一种石墨烯量子点薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410362988.6 申请日: 2014-07-28
公开(公告)号: CN104291321A 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 王丽娟;邹凤君;都昊;李一平 申请(专利权)人: 长春工业大学
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04
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地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 石墨 量子 薄膜 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于纳米材料领域,具体涉及一种石墨烯量子点薄膜的旋涂制备方法。 

背景技术

石墨烯是由碳原子以sp2杂化轨道形成的六边晶格状二维平面薄膜,因其特殊的晶格结构,使得石墨烯的电子和空穴的迁移率都无限接近于无穷大,石墨烯因此具有良好的导电性,力学性能及热性能,所以在能源、信息等领域具有较高的潜在价值。然而,石墨烯是零帯隙的半导体材料,在光电子领域的应用受到了限制。怎样打开石墨烯的能带呢?主要有两种技术,一是化学参杂;二是引入量子限域效应。 

石墨烯量子点是零维的石墨烯材料,它的尺寸在100nm以下,拥有丰富的边缘效应和量子限域效应,可以通过控制尺寸大小来调节边缘效应和量子限域效应,即调节石墨烯量子点的物理特性。 

目前,关于制备石墨烯量子点的方法大致分为两类:自上而下法和自下而上法。前者包括水热法、溶剂热法、电化学氧化法等,主要是将石墨烯切割打碎制得;后者主要有超声法、溶液化学法等,主要是运用小分子作前体来制备石墨烯量子点。本发明所采用的微波辅助水热法制备GQDs的优点在于与传统的水热法相比合成时间大大减少,产率相应提高。但是关于石墨烯量子点薄膜的制备方法尚且欠缺。 

发明内容

本发明的目的是以石墨粉作为原料,先制备出氧化石墨,再用微波辅助溶剂热法制备石墨烯量子点,然后经溶液配制、旋涂、烘干等步骤,以便制备石墨烯量子点薄膜。本发明的氧化石墨及石墨烯量子点薄膜在光电器件、超级电容及太阳能电池等方面有广泛的应用前景。 

本发明提供的技术方案包括以下步骤:1.氧化石墨的制备;2.石墨烯量子点的制备;3.石墨烯量子点薄膜的制备。 

1. 氧化石墨的制备:取2 g石墨粉和2 g硝酸锂于烧杯中,冰浴条件下加入100 mL 98%的浓硫酸,缓慢加入12 g的高锰酸钾,在不同温度下搅拌反应一段时间,溶液变为棕色,加入400 mL蒸馏水稀释,缓慢加入适量30%的双氧水,得到亮黄色溶液(GO),趁热过滤,滤饼用NaOH溶液洗涤,将pH调至7-8,以稀HCl调至中性,离心得到沉淀,在烘箱中以40-50 ℃干燥48 h得到氧化石墨。 

2. 石墨烯量子点的制备:将0.5-5 g氧化石墨加入到5-15 mL的分散剂中,移至内衬为聚四氟乙烯的微波水热反应釜(50 mL)中,密封后置于微波辅助水热合成仪中,微波功率为400 W,220℃下反应90 min,待温度降至室温,取出反应釜,过滤所得滤液为石墨烯量子点在分散剂中的分散液,旋转蒸发除去分散剂,干燥后即得粉末状石墨烯量子点。 

3. 石墨烯量子点薄膜的制备:将石墨烯量子点溶于蒸馏水中,配制成0.5%-3%的溶液,将溶液滴加到衬底上,在匀胶机上以1000-3000转旋涂10-30s得到GQDs薄膜。 

将得到的GQDs薄膜进行扫描电子显微镜、透射电子显微镜、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱、循环伏安扫描、电化学阻抗表征。 

本发明所制备的石墨烯量子点在溶剂中的溶解性明显提升,GQDs尺寸分布均匀,GQDs薄膜的厚度均匀,导电性能良好,可在光电器件如碲化镉、染料敏化等太阳能电池、超级电容器、透明电极等领域有广泛的应用前景。 

附图说明

图1是石墨烯量子点结构示意图。 

具体实施方式

下面结合实施例对本发明进行进一步阐述,但并不是对本发明进行限制。 

取2 g石墨粉和2 g硝酸锂于烧杯中,冰浴条件下加入100 mL 98%的浓硫酸,缓慢加入12 g的高锰酸钾,在不同温度下搅拌反应一段时间,溶液变为棕色,加入400 mL蒸馏水稀释,缓慢加入适量30%的双氧水,得到亮黄色溶液(GO),趁热过滤,滤饼用NaOH溶液洗涤,将pH调至7-8,以稀HCl调至中性,离心得到沉淀,在烘箱中以45℃干燥48 h得到氧化石墨。 

将0.5 g氧化石墨加入到5 mL的DMSO中,移至内衬为聚四氟乙烯的微波水热反应釜(50 mL)中,密封后置于微波辅助水热合成仪中,微波功率为400 W,220 ℃下反应90 min,待温度降至室温,取出反应釜,过滤所得滤液为石墨烯量子点在DMSO中的分散液,旋转蒸发除去DMSO,干燥后即得粉末状石墨烯量子点。 

将石墨烯量子点溶于蒸馏水中,配制成0.5%的溶液,将溶液滴加到衬底上,在匀胶机上以1000转旋涂15s得到GQDs薄膜,将初步得到的薄膜置于鼓风干燥箱中180℃固化烘干,即得GQDs薄膜。 

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