[发明专利]线性度大于96dB的BiCMOS缓冲器

权利要求书

1.一种线性度大于96dB的BiCMOS缓冲器，其特征在于，它含有：

作为射极跟随器的双极晶体管B₀、隔离双极晶体管B₁、尾电流源单元I_t、射极电压检测基极电流反馈放大器A₀、负载Z_l和镜像负载Z_in；

其中，B₀的集电极与电源V_DD相接，B₀的基极与输入端V_in相接，B₀的发射极与输出端V_out相接，B₁的集电极与输出端V_out相接，B₁的基极与A₀的输出端相接，B₁的发射极通过I_t与地相接，Z_l的一端与V_out相接，Z_l的另一端与地相接，Z_in的一端与V_in相接，Z_in的另一端通过I_t与地相接，A₀的正输入端与偏置电压V_c相接，A₀的负输入端通过I_t与地相接。

2.根据权利要求1所述的一种线性度大于96dB的BiCMOS缓冲器，其特征在于所述尾电流源单元I_t包括NMOS管M₁、NMOS管M₂、NMOS管M₃和放大器A₁；

其中，M₁的漏极与基准电流I_ref相接，并与M₁的栅极相接，M₁的源极与地相接，M₂的栅极与M₁的栅极相接，M₂的源极与地相接，M₂的漏极与M₃的源极相接，M₃的栅极与A₁的输出端相接，A₁的正输入端与偏置电压V_d相接，A₁的负输入端与M₃的源极相接，M₃的漏极与隔离双极晶体管B₁的射极相连。

3.根据权利要求1所述的一种线性度大于96dB的BiCMOS缓冲器，其特征在于所述射极电压检测基极电流反馈放大器A₀包括NMOS管M₄、M₅，PMOS管P₁、P₂和电流源I₁；

其中，M₄的源极与M₅的源极相接，并通过电流源I₁与地相接，M₄的栅极与输入V₊端相接，M₄的漏极与P₁的漏极、P₁的栅极连接在一起，M₅的栅极与A₀输入V_-端相接，M₅的漏极与P₂的漏极及输出V_o相接，P₁的栅极与P₁的漏极、P₂的栅极连接在一起，P₁的源极与电源V_DD相接，P₂的源极与电源V_DD相接，P₂的漏极与A₀输出V_o相接。