[发明专利]一种应用于高速串行接口的环形压控振荡器在审

专利信息
申请号: 201410360159.4 申请日: 2014-07-25
公开(公告)号: CN104242927A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 张鸿;高昂;茆慧慧;杨斌;张瑞智;程军 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 高速 串行 接口 环形 压控振荡器
【权利要求书】:

1.一种应用于高速串行接口的环形压控振荡器,其特征在于:包括若干个串联的延时单元,其中每一级延迟单元的负输出端(Vout-)接下一级延迟单元的正输入端(Vin+),每一级延迟单元的正输出端(Vout+)接下一级延迟单元的负输入端(Vin-);且最后一级延迟单元的负输出端(Vout-)接至第一级延迟单元的正输入端(Vin+),最后一级延迟单元的正输出端(Vout+)接至第一级延迟单元的负输入端(Vin-);各级延时单元的压控端均连接压控电压源(VC),各级延时单元的偏置端均连接偏置电压源(VB);且各级延时单元的输出端还分别设置有振荡信号输出端。

2.根据权利要求1所述的一种应用于高速串行接口的环形压控振荡器,其特征在于:所述的延时单元包括第一对PMOS管(M1,M2),第二对PMOS管(M3,M4),第三对PMOS管(M5,M6),第一对NMOS管(M7,M8),第二对NMOS管(M9,M10)和尾电流管(M11);

所述的第一对PMOS管(M1,M2)的S极均连接于VDD,G极均连接压控电压源(Vc),D极分别连接第二对NMOS管(M9,M10)的D极;

所述的第二对PMOS管(M3,M4)的S极均连接于VDD,G极均接地,D极分别连接第一对PMOS管(M1,M2)的D极;

所述的第三对PMOS管(M5,M6)的S极均连接于VDD,G极分别连接于第一对NMOS管(M7,M8)的D极,D极分别连接第一对PMOS管(M1,M2)的D极;

所述的第一对NMOS管(M7,M8)的D极分别连接第三对PMOS管(M5,M6)的G极,G极均连接至压控电压源(Vc),S极分别连接至第二对NMOS管(M10,M9)的D极;

所述的第二对NMOS管(M9,M10)的G极分别连接正输入端(Vin+)和负输入端(Vin-),S极均连接至尾电流管(M11)的D极,尾电流管(M11)的S极接地,G极连接偏置电压源(VB)。

3.根据权利要求1所述的一种应用于高速串行接口的环形压控振荡器,其特征在于:所述的各级延时单元的振荡信号输出端输出的信号两两差分,且输出信号的频率相同,相位不同。

4.根据权利要求1所述的一种应用于高速串行接口的环形压控振荡器,其特征在于:所述的延时单元为三个。

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