[发明专利]一种选择性发射极太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池制备方法，包括以下步骤：

(1)提供第一导电类型的单晶硅片， NaOH溶液对所述单晶硅片进行损伤层去除，随后对所述单晶硅片进行去离子水清洗和烘干处理；

（2）对所述单晶硅片的正面进行扩散工艺，形成第二导电类型掺杂区，所述掺杂区结深为0.5-1.5um；

（3）反蚀工艺，形成高掺杂区和低掺杂区；

（4）沉积抗反射膜。

2. 如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，在步骤（2）和步骤（3）之间还包括正面电极形成步骤，所述正面电极形成步骤包括：在所述单晶硅片掺杂区的正面蚀刻形成正面电极沟槽图案，所述正面电极沟槽的深度为所述结深的四分之一到二分之一；以及在该正面电极沟槽图案的沟槽内填充银浆料。

3.如权利要求1-2所述的太阳能电池制备方法，所述扩散工艺包括：以氮气为携磷气体，三氯氧磷为磷源，在950-1050摄氏度温度范围内进行初扩散，扩散时间为20分钟；之后将温度以20摄氏度/分钟的速度降温，同时进行推进扩散；待温度降至750-850摄氏度后，停止通三氯氧磷。

4.如权利要求1-2所述的太阳能电池制备方法，所述抗反射膜为双层结构，其中更靠近光照射的上层折射率大于下层。

5. 如权利要求2所述的太阳能电池制备方法，在正面电极沟槽图案的沟槽内填充银浆料之后进行烧结处理以形成正面电极。

6.如权利要求5所述的太阳能电池制备方法，所述正面电极沟槽图案包括：相互平行的多个侧壁电极片沟槽对，每个侧壁电极片沟槽对具有两个相互平行的侧壁电极片沟槽，侧壁电极片沟槽由硅片正面的一侧延伸到另一侧，多个侧壁电极片沟槽对之间的距离大于侧壁电极片沟槽对中侧壁电极片沟槽之间的距离。

7.如权利要求6所述的太阳能电池制备方法，所述侧壁电极片沟槽对之间的距离是所述侧壁电极片沟槽对中所述侧壁电极片沟槽之间距离的2倍。

8.如权利要求6所述的太阳能电池制备方法，在所述多个侧壁电极片沟槽对中的所述侧壁电极片沟槽之间还具有沿折线方式延伸的嵌入电极片沟槽，该嵌入电极片沟槽在折角处与所述侧壁电极片沟槽连通，并且所述多条主电极条沟槽穿过该折角处；对应的，在所述烧结处理之后，所述侧壁电极片沟槽、主电极条沟槽和嵌入电极片沟槽内的银浆料分别形成正面电极中的侧壁电极片、主电极条和嵌入电极片。

9. 如权利要求8所述的太阳能电池制备方法，所述反蚀工艺包括：在硅片正面使用抗蚀刻掩膜图案覆盖电极区域，所述电极区域是指：多个侧壁电极片对中的侧壁电极片和侧壁电极对中的两个侧壁电极片之间的区域，以及主电极条区域；对未被抗蚀刻掩膜图案覆盖的掺杂的硅片正面区域进行干法蚀刻，蚀刻深度与正面电极的深度相同，即一直蚀刻到与正面电极底部平行的位置；清洗，去除抗抗蚀刻层，至此由所述掺杂区形成了重掺杂区和低掺杂区，完成了选择性发射极结构的制备；

其中所述侧壁电极片对是指由侧壁电极片沟槽对内形成的包括了两个侧壁电极片的组合。