[发明专利]一种高性能稀土-铁-硼系烧结永磁体的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410356472.0 申请日: 2014-07-25
公开(公告)号: CN104124052A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 周志国;黄秀莲;陈静武;沈炯;衣晓飞;熊永飞 申请(专利权)人: 安徽大地熊新材料股份有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08;B22F9/04;B22F3/16
代理公司: 合肥天明专利事务所 34115 代理人: 孙永刚
地址: 231500 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 性能 稀土 烧结 永磁体 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明提供了一种稀土-铁-硼系高性能烧结永磁体的制备方法,属于磁性材料领域。

背景技术

烧结稀土-铁-硼(Re-Fe-B)系烧结永磁体(钕铁硼Nd-Fe-B是其典型代表)是目前磁性能最好的永磁材料,具有高剩磁(Br)、高矫顽力(Hcj)、高磁能积(BH)max特点,是计算机、信息产业、交通等高新技术领域的核心功能器件,已成为高新技术、新兴产业的重要物质基础。制造高性能磁体,首先是成分中具有高体积分数的稀土-铁-硼主相,其次是晶界间的富稀土相均匀充分分布,有良好的晶间结构。目前,研发高性能磁体的基本方法是:熔炼高体积分数钕铁硼合金成分,制粉时添加富稀土相进入晶界,改善晶界结构。双合金法是目前制备高性能磁体的常用方法:分别熔炼主辅合金(主合金成分具有高体积分数,辅合金成分基本是富稀土相),主合金粉碎后与辅合金液相(液相有微米级和纳米级尺寸)混料烧结,通过主辅合金成分、配比的改变来实现对主相合金颗粒晶界的修饰,如中国专利200510049962.7 提出的“晶界相中添加纳米氧化物提高烧结钕铁硼矫顽力方法”。双合金法添加的辅相富稀土相,特别是纳米级的富稀土液相,通过转动或滚动等机械方式与主相合金成分混合,富稀土相存在团聚象限,在微粉中分布的不均匀。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高性能烧结钕铁硼磁体的制备方法。

为了实现上述发明目的,采用下述技术方案:

一种高性能稀土-铁-硼系烧结永磁体的制备方法,包括下述步骤:

①、取钕铁硼合金,氢碎炉中吸氢破碎、高温脱氢处理,氢碎粉中加入烧结钕铁硼永磁体制备常用的助剂,在氮气或氩气气氛下密封混合,再经气流磨制粉制得磁粉;

②、将气流磨混合后的磁粉置于磁控溅射的滚动样品台上,以轻稀土元素中的一种或多种的合金做靶材,在氩气气氛中将靶材中轻稀土元素溅射到样品台上随重力下落的磁粉上,得到表面溅射有轻稀土元素的钕铁硼粉末;

③、将上述钕铁硼粉末在取向磁场中取向成型得到压坯,压坯再经过冷等静压处理;

④、冷等静压处理后的压坯经真空烧结、两级回火处理,制成磁体。

所述轻稀土元素包括镨Pr、钕Nd、镧La、铈Ce。

进一步的,步骤①氢碎炉高温脱氢处理温度520-580℃为佳。

作为优选,步骤①制得磁粉平均粒度为2-7μm。

进一步的,步骤②轻稀土元素溅射层厚度在10-50nm,优选15-40 nm。

进一步的,步骤③取向磁场强度1.0-2.0T。

作为优选,步骤③冷等静压处理压力为150-200MPa。

进一步的,步骤④在1030℃-1130℃下真空烧结4-6小时, 890℃-910℃一级回火处理2-4小时、450℃-600℃二级回火处理4-6小时。

步骤②中所述所述助剂包括钕铁硼生产用防氧化剂、润滑剂,其用量一般为钕铁硼合金质量的0.1~2.0‰,所述助剂还包括占钕铁硼合金质量0.1~2.0%的汽油。

本发明中所述钕铁硼合金包括:铸锭合金或速凝铸片合金,其可购自如安徽大地熊新材料股份有限公司、安徽包钢稀土永磁合金制造有限责任公司等专业的钕铁硼合金生产企业,或者其也可通过常规的钕铁硼速凝铸片合金制备工艺如在真空感应熔炼炉中熔炼得到。

所述合金成分重量百分组成可以为McQxPyRz,其中29≤c≤33,63≤x≤66,0.98≤y≤1.1,0≤z≤1,M为Pr、Nd、Dy、Tb元素中的一种或多种,Q为Fe、Co元素一种或两种,P为B元素,R为Al、Nb、Cu、Ga元素的一种或多种。

本发明在制备钕铁硼Nd-Fe-B合金粉末的基础上利用磁控溅射方法将轻稀土元素溅射到气流磨微粉表面,轻稀土元素作为晶间液相,修复受损的晶界边缘,使晶界更光滑,晶界结构的优化,磁体具有了更好的磁性能。本发明中,晶界轻稀土元素液相均匀分布并包裹主相,起去交换耦合作用,克服了双合金法富稀土液相在晶界中分布不均匀对磁体性能的影响,提高了矫顽力。

具体实施方式

下述实施例是对于本发明内容的进一步说明以作为对本发明技术内容的阐释,但本发明的实质内容并不仅限于下述实施例所述,本领域的普通技术人员可以且应当知晓任何基于本发明实质精神的简单变化或替换均应属于本发明所要求的保护范围。

实施例1

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