[发明专利]RF功率器件有效
申请号: | 201410354016.2 | 申请日: | 2014-07-23 |
公开(公告)号: | CN104347615B | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 约瑟夫斯·H·B·范德赞登;维托里奥·古可;罗伯·马蒂兹·赫里斯 | 申请(专利权)人: | 安普林荷兰有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/66 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 浦彩华,姚开丽 |
地址: | 荷兰奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | rf 功率 器件 | ||
1.一种用于放大RF信号的RF功率器件(600),包括:
凸缘(14);
输入引线(20);
输出引线(18);
输入匹配网络,包括:包括匹配电容器的无源输入管芯(22),具有通过多个接合线电耦合至输入引线的第一端子以及电耦合至凸缘的第二端子;
有源管芯(24),安装在凸缘上,所述有源管芯包括至少一个功率晶体管、通过多个接合线分别电耦合至输入引线和输出引线的至少一个输入端子和至少一个输出端子;
输出匹配网络,包括无源输出管芯(26),所述无源输出管芯(26)包括匹配电容器,所述无源输出管芯具有通过多个接合线电耦合至所述至少一个输出端子的第一端子和电耦合至所述凸缘的第二端子;以及
至少一个电容元件(40),与输入引线和输出引线中的一个引线相连,其中在操作中,所述至少一个电容元件用于修改输入引线和输出引线中相应的一个引线的阻抗,其中修改所述有源管芯的凸缘处的电流分布,其中输入引线和输出引线至少部分地与凸缘重叠,并且所述至少一个电容元件包括导电柱(44),所述导电柱部分地横跨凸缘与输入引线和输出引线之一的表面之间的间隙。
2.根据权利要求1所述的RF功率器件,其中导电柱与输入引线和输出引线之一接触。
3.根据权利要求1所述的RF功率器件,其中导电柱由输入引线和输出引线之一的一部分形成。
4.根据权利要求2所述的RF功率器件,其中导电柱由输入引线和输出引线之一的一部分形成。
5.根据权利要求1所述的RF功率器件,其中导电柱与凸缘接触,并且朝着输入引线和输出引线的表面延伸。
6.根据任一前述权利要求所述的RF功率器件,包括:
另外的输入匹配网络,包括:另外的输入匹配管芯(22’),具有通过多个接合线电耦合至输入引线的第一端子和电耦合至凸缘(14)的第二端子;
另外的输出匹配网络,包括:另外的输出匹配管芯(26’),具有通过多个接合线电耦合至输出引线的第一端子和电耦合至凸缘的第二端子;
另外的有源管芯(24’),安装在凸缘上,所述另外的有源管芯包括至少一个功率晶体管、通过多个接合线分别电耦合至输入引线和输出引线的至少一个输入端子和至少一个输出端子;其中至少一个电容元件修改沿有源管芯和所述另外的有源管芯的边缘的电流分布。
7.一种RF放大器,包括任一前述权利要求所述的RF功率器件。
8.一种基站,包括权利要求7所述的RF功率放大器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的