[发明专利]获得包覆层厚度可控的SiC@SiO2纳米电缆及无包覆SiC纳米线的制备技术无效
| 申请号： | 201410348897.7 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104167259A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李镇江;赵健;孟阿兰;张猛;宫璐 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266061 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 获得 覆层 厚度 可控 sic sio sub 纳米 电缆 无包覆 制备 技术 | ||
【权利要求书】：
1.一种获得SiO2包覆层厚度可控的SiC@SiO2纳米电缆及无包覆SiC纳米线的制备技术，其特征在于：以1mol.L-1的NaOH溶液为原料，恒温磁力搅拌器中磁子的转速为900r/min，反应温度为70℃，采用碱洗法对SiC@SiO2纳米电缆进行处理，通过控制反应时间，得到了包覆层厚度不同的SiC@SiO2纳米电缆及无包覆SiC纳米线。
2.根据权利要求1所述的SiO2包覆层厚度可控的SiC@SiO2纳米电缆及无包覆SiC纳米线的制备技术，其特征在于：基于实验结果得到了固、液反应动力学方程根据此方程获得了反应时间与去除包覆层厚度的关系，从而得到了可用于指导制备可控SiO2包覆层厚度的SiC@SiO2纳米电缆和无包覆SiC纳米线的理论方程。
3.根据权利要求1所述的SiO2包覆层厚度可控的SiC@SiO2纳米电缆及无包覆SiC纳米线的制备技术，其特征在于：获得无包覆SiC纳米线的工艺条件为：反应温度70℃，NaOH溶液浓度1mol.L-1及反应时间40min。
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