[发明专利]金属Pd纳米颗粒阵列的制备方法

权利要求书

1.一种金属Pd纳米颗粒阵列的可控制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、选取溅射基片；

(2)、制备钯连续薄膜；将基片置于真空磁控溅射设备内，控制溅射室内真空度为10^-4量级时，向溅射室充保护气体，调节流量计至保护气体的流量显示为10-15sccm；当磁控溅射设备的真空度为1-5Pa时，打开直流溅射总电源使靶逐渐起辉，起辉后调节闸板阀使抽气的气路口变小，抽气变慢，使磁控溅射设备的真空度为0.5-7Pa,控制功率为30-80W进行溅射，溅射时间为1-5S；

(3)、基片退火，将步骤2得到的钯连续薄膜基片在真空度为0.1-1Torr的条件下进行加热，以4-10℃/min的速率加热钯连续薄膜基片，然后升温至200-800℃并在此温度下保持30-90min，即可获得退火后的钯纳米颗粒阵列。

2.根据权利要求1所述的金属Pd纳米颗粒阵列的可控制备方法，其特征在于，在制备钯纳米颗粒阵列之前，还包括对基片的清洗步骤，包括将基片先后用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗10-30min，然后在温度为40-60℃的空气中烘20-30min。

3.根据权利要求1所述的金属Pd纳米颗粒阵列的可控制备方法，其特征在于，所述基片为硅/二氧化硅抛光氧化片。

4.根据权利要求1所述的金属Pd纳米颗粒阵列的可控制备方法，其特征在于，所述保护气体为氩气。

5.根据权利要求1所述的金属Pd纳米颗粒阵列的可控制备方法，其特征在于，步骤3中，将步骤2得到的钯连续薄膜基片在真空度为0.1Torr的条件下进行加热，以4℃/min的速率加热钯连续薄膜基片，然后升温至350℃并在此温度下保持60min，即可获得退火后的钯纳米颗粒阵列。