[发明专利]触控侦测电路

说明书

技术领域

本发明是有关于一种触控电路，且特别是有关于一种触控侦测电路。

背景技术

随着科技的发展与进步，电子产品的用户接口也由传统的按键、键盘或鼠标逐渐演变为更为人性化的触控式接口。举例来说，使用者可利用手指或触控光笔在光感应式的触控面板上进行触控操作。另一方面，在触控面板中常会利用光侦测电路来感应目前用户的触控位置。举例来说，图1绘示一种光侦测电路100的示意图。光侦测电路100可应用于光感应式的触控面板以侦测触控面板的触控点位置。

光侦测电路100包括晶体管Q、电容C以及光侦测晶体管P。触控面板的扫描线SCAN1可用来控制晶体管Q的开关状态。光侦测晶体管P在不同强度的光线照射下会产生不同的电流Id。电容C的一端耦接于晶体管Q，另一端则耦接于电源VDD。电容C是用来储存电流Id所产生的电荷。当晶体管Q开启时，电容C中储存的电荷会经由晶体管Q传送至触控面板的数据线DATA1。由于电流Id不同，电容C中的电荷量也会不同。因此，光侦测电路100可依据数据线DATA1所接收到的电荷量来判断触控面板目前的触碰情况。

然而，当光侦测晶体管P所侦测到的光强度不足或是感光时间不够长时，电容C中所储存的电荷量过少会使得端点VA的电压不足，导致触控面板无法判断触控点的位置。另一方面，通常会将光侦测晶体管P的闸极G与源极S两端的电压差(即Vgs)操作在负偏压下以控制电流Id，但这容易让光侦测晶体管P发生劣化的情形。

发明内容

本发明提供一种触控侦测电路，藉由增加触控侦测电路的光感应速度以提升触控面板的光感应敏感度。

本发明的触控侦测电路包括触控单元、比较单元以及触控结果产生单元。触控单元依据被触碰状态以提供侦测信号。比较单元耦接触控单元并提供参考电流。比较单元并依据侦测信号以及第一参考电压的电压差来产生触控状态电流。比较单元比较参考电流以及触控状态电流来产生比较电压。触控结果产生单元耦接比较器并依据比较电压来提供触控结果信号。

基于上述，本发明的触控侦测电路中的比较单元藉由比较触控单元在不同的触控状态下所提供的侦测信号与第一参考电压两者的电压差来产生比较电压。接着，触控结果产生单元会依据比较电压来提供触控结果信号。如此一来，本发明的触控侦测电路可藉由分析触控结果信号来得知触控面板目前的触碰状态并得知触控面板上触控点的位置。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1绘示一种光侦测电路100的示意图。

图2～图3A、图4～图8分别绘示本发明多个实施例的触控侦测电路的示意图。

图3B绘示图3A触控侦测电路300的读出波形示意图。

其中，附图标记

100：光侦测电路

200、300、400、500、600、700、800：触控侦测电路

202、302、402、502、602、702、802：触控单元

204、304、404、504、604、704、804：比较单元

206、306、406、506、606、706、806：触控结果产生单元

A、B：曲线

C、CT、CR：电容

DATA1、DATA3：资料线

D1～D3：二极管

F：波形周期

G：闸极

Id：电流

IREF1：参考电流

IT1、IT2：触控状态电流

P、P1～P7：光侦测晶体管

S：源极

SCAN1、SCAN3：扫描线

SD1～SD6：侦测信号

ST1、ST2：触控结果信号

VA、VA1～VA3：端点

VCOMP、VCOMP1、VCOMP2：比较电压

VREF1、VC2、VC4、T1、T2：参考电压

VC1、VC3：参考电压源

VC5：参考电源

VDD：电源

Q、M1～M6、MA、MB1～MB4、MC1～MC2、MD1～MD4、MF、

MN：晶体管

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案进行详细的描述，以更进一步了解本发明的目的、方案及功效，但并非作为本发明所附权利要求保护范围的限制。