[发明专利]一种存储器和读取存储器存储单元的方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：存储区域、译码电路和敏感阵列；

所述存储区域，用于存储数据，其中，所述存储区域包括第一存储区域和第二存储区域，所述第一存储区域和所述第二存储区域分别包括若干个存储单元；

所述译码电路，用于根据输入的地址信号，从所述存储区域中选取与所述地址信号对应的存储单元，其中，所述译码电路包括第一译码电路和第二译码电路；

所述敏感阵列，用于读取所述地址信号对应的存储单元，以判定所述地址信号对应的存储单元的数据形式；

所述第一译码电路连接于所述第一存储区域和所述敏感阵列之间，所述第二译码电路连接于所述第二存储区域和所述敏感阵列之间。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一存储区域和所述第二存储区域的容量相等。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储区域的存储数据的数据形式包括：第一数据形式和第二数据形式；

其中，所述第一数据形式为“1”，所述第二数据形式为“0”。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第一数据形式为“1”时，所对应的存储单元为擦除存储单元；

所述第二数据形式为“0”时，所对应的存储单元为编程存储单元。

5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一译码电路和所述第二译码电路为列译码电路。

6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述敏感阵列由若干个敏感放大器电路组成；

其中，所述敏感放大器电路，用于读取所述第一存储区域的存储单元，以及用于读取所述第二存储区域的存储单元。

7.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，当所述第一译码电路和所述第二译码电路为列译码电路时，所述存储器由所述第一存储区域、所述第一译码电路、所述敏感阵列、所述第二译码电路和所述第二存储区域按照从上到下的顺序依次连接组成；或者

所述存储器由所述第二存储区域、所述第二译码电路、所述敏感阵列、所述第一译码电路和所述第一存储区域按照从上到下的顺序依次连接组成。

8.根据权利要求1～7任一项所述的存储器，其特征在于，所述存储器为NOR快闪存储器或NAND快闪存储器。

9.一种读取存储器存储单元的方法，用于读取权利要求1-8中任一项所述的存储器，其特征在于，包括：

向译码电路输入地址信号，其中，所述译码电路包括第一译码电路和第二译码电路；

根据所述地址信号，从所述存储区域中选取与所述地址信号对应的存储单元，其中，所述存储区域包括第一存储区域和第二存储区域，所述第一存储区域和所述第二存储区域分别包括若干个存储单元；

通过所述敏感阵列读取所述地址信号对应的存储单元，以判定所述地址信号对应的存储单元的数据形式。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，向所述第一译码电路输入第一地址信号，根据所述第一地址信号，从所述第一存储区域中的若干个存储单元中选取与所述第一地址信号对应的第一存储单元，通过所述敏感阵列读取所述第一存储单元，以判定所述第一存储单元的数据形式；以及

向所述第二译码电路输入第二地址信号，根据所述第二地址信号，从所述第二存储区域中的若干个存储单元中选取与所述第二地址信号对应的第二存储单元，通过所述敏感阵列读取所述第二存储单元，以判定所述第二存储单元的数据形式。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，通过所述敏感阵列读取所述地址信号对应的存储单元，以判定所述地址信号对应的存储单元的数据形式，包括：

通过向所述地址信号对应的存储单元施加读取电压，以使所述敏感阵列获得所述地址信号对应的存储单元的读取电流；

判断所述地址信号对应的存储单元的读取电流与参考单元的参考电流的大小；

根据判断结果，判定所述地址信号对应的存储单元的数据形式。