[发明专利]摩擦发电直接驱动的有机发光二极管及驱动方法

权利要求书

1.一种利用摩擦直接驱动有机发光二极管的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)提供有机发光二极管，包括第一电极、第二电极和处于所述第一电极和第二电极之间的有机发光层，使所述第一电极接地，所述第二电极表面朝上；

(2)形成绝缘层，所述绝缘层下表面完全覆盖所述第二电极的上表面；

(3)在所述绝缘层的部分区域形成导电区，所述导电区间隔地位于所述第二电极的上方，并且所述导电区的上表面构成所述绝缘层上表面的一部分；

(4)提供带有表面摩擦电荷的第一摩擦层；

(5)将所述第一摩擦层置于所述导电区的上方；

(6)所述第一摩擦层上的摩擦电荷通过所述导电区驱动所述有机发光二极管发光。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中所述绝缘层直接制备在所述第二电极之上。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述制备通过蒸镀、旋涂或滴液后退火实现。

4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，步骤(3)中所述导电区与所述第二电极上表面之间的间隔大于所述有机发光二极管的整体厚度。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述间隔为所述有机发光二极管厚度的2倍至10倍。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电区的下表面向所述有机发光二极管方向的投影的尺寸与所述第二电极基本一致。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述导电区的下表面向所述有机发光二极管方向的投影面积与所述绝缘层向在该方向的投影面积之比为1:2—1:10。

8.如权利要求1、6或7所述的方法，其特征在于，所述导电区的全部或部分上表面与所述绝缘层的上表面位于同一平面。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述导电区的部分上表面向所述有机发光二极管方向形成凹陷。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述凹陷的导电区通过纳米结构压印再蒸镀导体材料的方法制备。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电区的电导率比所述绝缘层的电导率大5倍以上。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述导电区的全部或部分为导电材料。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，通过导体掺杂或渗入的方式形成部分为导电材料的导电区。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)中的所述摩擦电荷通过所述第一摩擦层与所述绝缘层摩擦而形成，或者，通过所述第一摩擦层与其他材料摩擦而形成。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一摩擦层与所述绝缘层之间的摩擦通过二者之间宏观的相对滑动实现，或者通过二者之间微观的接触摩擦实现。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一摩擦层与所述绝缘层相互接触的表面均设有微纳结构。

17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述摩擦电荷为负电荷时，所述第二电极为阴极，所述摩擦电荷为正电荷时，所述第二电极为阳极。

18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电区上表面和下表面的面积均小于所述第一摩擦层朝向所述导电区的表面积。

19.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(5)中所述第一摩擦层为接触或不接触地位于所述导电区的上方。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述第一摩擦层不接触地位于所述导电区的上方时，二者之间的间距小于1毫米。

21.一种利用摩擦电荷直接驱动的有机发光二极管，其特征在于，包括：基板、第一电极、第二电极、有机发光层、绝缘层、导电区和第一摩擦层；所述第一电极位于所述基板上并接地；所述有机发光层位于所述第一电极和第二电极之间；所述绝缘层的下表面完全覆盖所述第二电极的上表面；所述导电区位于所述绝缘层之中、所述第二电极的上方并且与所述第二电极之间形成间隔，所述导电区的上表面构成所述绝缘层上表面的一部分；第一摩擦层能够形成摩擦电荷并通过导电区驱动有机发光层发光。