[发明专利]非易失性存储器件和相关的字线驱动方法

说明书

本发明涉及非易失性存储器件和相关的字线驱动方法。非易失性存储器件包括：多个存储块，每个包括排列在字线和位线的交叉点处的多个存储单元；地址解码器，被配置成响应于地址将第一线电连接到存储块中的一个的字线；线选择开关电路，被配置成根据地址以不同的配置将第一线电连接到第二线；第一线解码器，被配置成向第二线提供驱动所需的字线电压；以及电压生成器，被配置成生成字线电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年8月26日申请的韩国专利申请第10-2013-0101221号的优先权，其主题通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思一般涉及非易失性存储器件和相关的操作方法。更具体地，本发明构思的某些实施例涉及非易失性存储器件和相关的字线驱动方法。

背景技术

根据当半导体存储器件从电源断开时它们是否保留存储的数据，半导体存储器件可以大致被划分成两个类别。这些类别包括当从电源断开时丢失存储的数据的易失性半导体存储器件，以及当从电源断开时保留存储的数据的非易失性半导体存储器件。易失性半导体存储器件的示例包括动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)，并且非易失性半导体存储器件的示例包括只读存储器(ROM)、快闪存储器、磁阻随机存取存储器(MRAM)以及相变随机存取存储器(PRAM)。

取决于使用的制造技术，非易失性半导体存储器件允许数据以永久的或可重编程的方式存储。它们可以被用于计算机、电子设备(avionics)、电信以及消费电子工业中的各式各样的应用的用户数据、程序和微码储存器。

存在对具有改善的质量(诸如更好的性能、低成本、高可靠性)的非易失性半导体存储器件的持续需要。因此，研究人员致力于继续努力改善非易失性半导体存储器件的这些及其他方面。

发明内容

在本发明构思的一个实施例中，一种非易失性存储器件包括：多个存储块，每个包括排列在字线和位线的交叉点处的多个存储单元；地址解码器，被配置成响应于地址将第一线电连接到所述多个存储块中的一个的字线；线选择开关电路，被配置成根据地址以不同配置将多个第一线电连接的多个第二线；第一线解码器，被配置成向所述多个第二线提供驱动所需的字线电压；以及电压生成器，被配置成生成字线电压。

在本发明构思的另一实施例中，一种非易失性存储器件包括：多个存储块，每个包括排列在字线和位线的交叉点处的多个存储单元；第一地址解码器，被配置成根据地址将第一线电连接到多个存储块中的偶数存储块中的一个的字线；第二地址解码器，被配置成根据地址将第一线电连接到多个存储块中的奇数存储块中的一个的字线；第一线选择开关电路，被配置成将第一地址解码器的第一线电连接到第二线；第二线选择开关电路，被配置成将第二地址解码器的第二线电连接到第二线；线转换器，被配置成根据地址以不同配置将第二线电连接到第三线；第一线解码器，被配置成向第三线提供驱动所需的字线电压；以及，电压生成器，被配置成生成字线电压。

在本发明构思的另一实施例中，一种非易失性存储器件包括：多个存储块，每个包括排列在字线和位线的交叉点处的多个存储单元；第一地址解码器，被配置成根据地址将第一线电连接到多个存储块中的偶数存储块中的一个的字线；第二地址解码器，被配置成根据地址将第一线电连接到多个存储块中的奇数存储块中的一个的字线；第一线选择开关电路，被配置成将第一地址解码器的第一线电连接到第二线；第二线选择开关电路，被配置成将第二地址解码器的第二线电连接到第二线；第一线解码器，被配置成向第二线提供用于驱动的字线电压；以及电压生成器，被配置成生成字线电压。

在本发明构思的另一实施例中，一种操作非易失性存储器件的方法包括：生成字线电压；向源极线施加字线电压；根据不同地址以不同配置将源极线连接到源极接口线；以及将源极接口线连接到与不同地址相对应的不同存储块的字线。