[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410330527.0 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN105336669B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 倪梁;汪新学;伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底从下往上依次包括支撑衬底、绝缘氧化物埋层以及半导体材料层；
在所述半导体材料层上形成图案化的光刻胶层；
根据所述图案化的光刻胶层刻蚀所述半导体材料层露出所述绝缘氧化物埋层，以形成第一沟槽；
去除所述图案化的光刻胶层；
刻蚀部分露出的所述绝缘氧化物埋层，以形成第二沟槽；
刻蚀所述第二沟槽的顶部侧壁，以扩大所述第二沟槽的顶部开口；
刻蚀剩余的所述绝缘氧化物埋层，以露出所述支撑衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用博世蚀刻工艺刻蚀所述半导体材料层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述博世蚀刻工艺的刻蚀气体包括SF6和C5F8。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用O2和CF4的混合气体去除所述图案化的光刻胶层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用地毯式蚀刻工艺刻蚀所述第二沟槽的顶部侧壁。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述地毯式蚀刻工艺的刻蚀气体包括SF6和O2。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀露出的所述绝缘氧化物埋层，所述干法刻蚀的刻蚀气体包括CF4和CHF3。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘氧化物埋层的材料为二氧化硅，所述半导体材料层的材料为硅。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑衬底包括金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
