[发明专利]移位暂存装置及其电压调整装置有效
申请号: | 201410304842.6 | 申请日: | 2014-06-30 |
公开(公告)号: | CN104123903A | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 董哲维;廖一遂;林炜力 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位 暂存 装置 及其 电压 调整 | ||
1.一种移位暂存装置,其特征在于,包括:
多数个移位暂存单元,该多个移位暂存单元相互串连耦接,其中第N级的移位暂存单元包括:
一输出驱动电路,耦接至一输出端以及一驱动端,该输出驱动电路由该驱动端接收一驱动信号,并依据该驱动信号及一时序信号以产生一输出信号;
一第一电容,耦接在该输出端以及该驱动端间;
一上拉电路,其一端耦接至该驱动端,其另一端接收一N-P级输出信号,该上拉电路依据一上拉控制信号及该N-P级输出信号以产生该驱动信号;
一下拉电路,耦接在该驱动端、该输出端以及一参考接地端间,依据一下拉控制信号以拉低该驱动信号及该输出信号的电压电位;以及
一辅助下拉电路,耦接至该驱动端、该输出端以及该参考接地端间,依据一N+Z级输出信号以拉低该驱动信号及该输出端的电压电位,
其中,该上拉电路、该下拉电路以及该辅助下拉电路的至少其中之一包括:
一电压调整单元,包括:
一双栅极薄膜晶体管,具有第一控制端、第二控制端、第一端、第二端以及第三端,其第一控制端与第二控制端共同耦接至该N+Z级输出信号、该下拉控制信号或该上拉控制信号,其第一端耦接至该驱动端,其第二端耦接至该参考接地端或该N-P级输出信号;
一第二电容,其第一端耦接至该双栅极薄膜晶体管的第三端,该第二电容的第二端耦接至该输出端;以及
一预充电开关,其第一端接收一N-P级时序信号,其第二端耦接至该双栅极薄膜晶体管的第三端,该预充电开关的控制端耦接至该N-P级时序信号或该上拉控制信号,
其中,N、P、Z为正整数且P小于N。
2.如权利要求1所述的移位暂存装置,其特征在于,第N级移位暂存单元更包括:
一下拉控制电路,耦接至该驱动端以及一低频时脉信号,依据该低频时脉信号以及该驱动信号以产生该下拉控制信号。
3.如权利要求2所述的移位暂存装置,其特征在于,该下拉控制电路更包括:
一第一晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,该第一晶体管的第一端及控制端接收该低频时脉信号;
一第二晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,该第二晶体管的第一端耦接至该第一晶体管的第二端,该第二晶体管的控制端耦接至该驱动端,该第二晶体管的第二端耦接至该参考接地端;
一第三晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,该第三晶体管的第一端接收该低频时脉信号,该第三晶体管的控制端耦接至该第一晶体管的第二端,该第三晶体管的第二端产生该下拉控制信号;以及
一第四晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,该第四晶体管的第一端耦接至该第三晶体管的第二端,该第四晶体管的控制端耦接至该驱动端,该第四晶体管的第二端耦接至该参考接地端。
4.如权利要求1所述的移位暂存装置,其特征在于,第N级移位暂存单元更包括:
一上拉控制电路,接收该N-P级时序信号及该N-P级驱动信号,并依据该N-P级驱动信号与该N-P级时序信号以产生该上拉控制信号。
5.如权利要求4所述的移位暂存装置,其特征在于,该上拉控制电路包括:
一第一晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,该晶体管的第一端接收该N-P级时序信号,该晶体管的控制端接收该N-P级驱动信号,该晶体管的第二端产生该上拉控制信号;以及
一第二晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,该第二晶体管的第一端耦接至该第一晶体管的第二端,该第二晶体管的第二端耦接至该参考接地端,该第二晶体管的控制端接收该下拉控制信号。
6.如权利要求1所述的移位暂存装置,其特征在于,该辅助下拉电路更包括:
一第一晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,该晶体管的第一端耦接至该输出端,该晶体管的控制端接收该N+Z级输出信号,该晶体管的第二端耦接至该参考接地端;以及
一第二晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,该晶体管的第一端耦接至该驱动端,该晶体管的控制端接收该N+Z级输出信号,该晶体管的第二端耦接至该参考接地端。
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