[发明专利]阵列基板及其驱动方法、显示装置有效
申请号: | 201410302428.1 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN104102035B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 张子鹤;季斌;唐秀珠 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 驱动 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其驱动方法、显示装置。
背景技术
液晶显示器是目前常用的平板显示器,其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称:TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。
薄膜晶体管液晶显示器包括:显示区域和非显示区域,在显示区域设置有若干个像素单元,每个像素单元内均包括像素电极、存储电容和薄膜晶体管,存储电容的第一端与数据线以及薄膜晶体管的源极相连,存储电容的第二端与栅线或者公共电压线相连。
以存储电容的第二端与公共电压线相连的情况为例。当像素单元对应的栅线进行扫描时,数据电压信号通过数据线加载至存储电容的第一端,公共电压信号通过公共电压线加载至存储电容的第二端,此时存储电容两端形成电压差,即存储电容充电完毕,存储电容用于在对应行的栅线扫描结束后维持像素单元中像素电极上的电压。
目前,公共电压信号一般为直流信号或者为交流信号。当公共电压信号为交流信号时,数据电压信号的输出电压仅需设置在0~5V之间,即可满足液晶显示器中的液晶分子的极性反转需求;而当公共电压信号为直流信号时,数据电压信号的输出电压则需要设置在-5V~5V之间,才能够实现液晶显示器中的液晶分子的极性反转需求。
由上述内容可见,当公共电压信号为直流信号时,对应的数据电压信号的输出电压的摆幅较大(电压变动范围较大)。而数据电压信号的输出电压的摆幅的增加,则会造成存储电容在充放电过程的功耗上升,从而导致整个液晶显示面板的功耗上升。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其驱动方法、显示装置,在实现极性反转的同时,也能实现数据电压信号的输出电压的摆幅的下降,从而减小了显示装置的功耗。
为实现上述目的,本发明提供一种阵列基板,包括:公共电压生成单元、数据电压生成单元、时序控制单元、若干条栅线、数据线和公共电压线,所述栅线和数据线限定出若干个像素单元,所述像素单元包括:第一显示开关管和存储电容,所述第一显示开关管的控制极与对应行的所述栅线连接,所述第一显示开关管的第一极与对应列的所述数据线连接,所述显示开关管的第二极与所述存储电容的第一端连接,所述存储电容的第二端与对应列的所述公共电压线连接;
所述阵列基板还包括:若干个开关控制单元,所述开关控制单元与所述数据线、所述公共电压线、所述公共电压生成单元、所述数据电压生成单元和所述时序控制单元连接;
所述公共电压生成单元用于生成公共电压信号;
所述数据电压生成单元用于生成数据电压信号;
所述时序控制单元用于生成时序控制信号;
所述开关控制单元用于在所述时序控制信号的控制下,将所述公共电压信号加载至所述公共电压线上,且将所述数据电压信号加载至所述数据线上;或者,将所述公共电压信号加载至所述数据线上,且将所述数据电压信号加载至所述公共电压线上。
可选地,所述开关控制单元包括:第一控制开关管、第二控制开关管、第三控制开关管和第四控制开关管;
所述第一控制开关管、所述第二控制开关管、所述第三控制开关管和所述第四控制开关管的控制极均与所述时序控制单元连接;
所述第一控制开关管的第一极与所述数据电压生成单元连接,所述第一控制开关管的第二极与所述数据线连接;
所述第二控制开关管的第一极与所述数据电压生成单元连接,所述第二控制开关管的第二极与所述公共电压线连接;
所述第三控制开关管的第一极与所述公共电压生成单元连接,所述第三控制开关管的第二极与公共电压线连接;
所述第四控制开关管的第一极与所述公共电压生成单元连接,所述控制开关管的第二极与所述数据线连接。
可选地,所述第一控制开关管、第二控制开关管、第三控制开关管和第四控制开关管均为金属氧化物半导体场效应管。
可选地,所述时序控制单元包括一条时序控制线,所述第一控制开关管、所述第二控制开关管、所述第三控制开关管和所述第四控制开关管的控制极与所述时序控制线连接;
所述第一控制开关管和所述第三控制开关管为N型晶体管,所述第二控制开关管和所述第四控制开关管为P型晶体管;
或者,所述第一控制开关管和所述第三控制开关管为P型晶体管,所述第二控制开关管和所述第四控制开关管为N型晶体管。
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