[发明专利]一种专用电容器的制造方法在审
| 申请号： | 201410288518.X | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105321798A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 沈攀攀 | 申请（专利权）人： | 沈攀攀 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211300 江苏省南京市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 专用 电容器 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种专用电容器的制造方法，其特征在于，包括：沉积层间介质层；采用铜互连工艺在所述层间介质层中形成电容区，所述电容区包括相互平行的铜互连线，及所述铜互连线之间的层间介质；刻蚀所述电容区中铜互连线间的层间介质；沉积一层高介电常数介质；在所述高介电常数介质之间填充金属铜。
2.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，在所述高介电常数介质之间填充金属铜的步骤后，通过化学机械研磨去除多余的金属铜及高介电常数介质。电容区中铜互连线间距为100nm至250nm，铜互连线厚度为200nm至500nm。
3.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述高介电常数介质为氮化硅，淀积的所述氮化硅厚度为30nm至60nm。
4.根据权利要求4所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述低介电常数介质为碳搀杂氧化硅或氟掺杂氧化硅。
5.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，填充金属铜的步骤包括，沉积扩散阻挡层、铜籽晶层及电镀铜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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