[发明专利]一种薄膜晶体管及其修复方法、GOA电路及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其修复方法、GOA电路及显示装置。

背景技术

在显示技术领域的开关元件对高画质显示装置起着重要的作用。例如开关元件薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的导电性能直接影响TFT的开启程度，影响液晶分子的偏转程度，从而影响图像的显示画面。

目前主要是对TFT的充电电流提出更高的要求。一般地，通过增加TFT沟道的宽长比以增加TFT的充电电流。例如尤其是针对制作在阵列基板上非显示区域的栅极驱动电路(GOA电路)，对其电路中的TFT的充电电流要求更高，并且制作在阵列基板的非显示区域的中的TFT，其TFT的尺寸要求相比较在像素中的设计会低一些，因此，设计出了面积较大充电电流较高的TFT。

在TFT的制作过程中，不可避免地存在静电击穿(ESD)现象或灰尘掉落在TFT中的某些电极结构上。导致TFT内部结构短路，发生短路后的TFT一般会经过维修恢复正常功能，而在修复过程中，不可避免地会对TFT结构造成影响或损坏，例如当修复源极与栅极之间的短路过程中，采用激光或其他切断方式进行修复时，容易导致栅极的结构损坏。

现有技术提供的TFT结构的设计，无法通过维修使其正常工作，该异常的TFT无法正常工作，因而会对显示装置的图像显示造成一定影响。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其修复方法、GOA电路及显示装置，用以解决现有TFT在出现不良现象后无法维修正常的问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供的薄膜晶体管，包括：呈梳状的源极和呈梳状的漏极，所述源极和漏极分别包括多个梳齿部和连接各梳齿部的梳柄部；

还包括：位于所述源极和漏极的下方或上方与所述源极和漏极相绝缘的栅极；

所述源极的梳齿部与漏极的梳齿部间隔排列；

所述源极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域；所述漏极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。

较佳地，所述源极的梳柄部和漏极的梳柄部为沿与所述梳齿部垂直的第一方向延伸的带状结构。

较佳地，所述栅极为沿所述第一方向延伸的带状电极。

较佳地，还包括位于所述源极和漏极下方沿所述第一方向延伸的呈带状的有源层，所述有源层在垂直方向的投影位于所述栅极在垂直方向的投影内。

较佳地，所述呈带状的有源层的两个侧边分别延伸至所述源极的梳齿部的末端和漏极的梳齿部的末端。

较佳地，所述有源层延的两个侧边分别距离源极的梳柄部和距离漏极的梳柄部相等。

较佳地，所述间隔排列的源极的梳齿部和漏极的梳齿部平行设置，各相邻两个所述梳齿部之间的距离相等。

本发明实施例还提供一种上述任一方式的薄膜晶体管的修复方法，当所述薄膜晶体管中的源极中的一个或多个梳齿部与栅极短路时，通过切割工艺至少将与栅极短路的源极的梳齿部与所述源极的梳柄部断开；所述切割工艺的切割区域位于所述梳柄部与所述梳齿部的连接区域，该连接区域与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域；和/或

当所述薄膜晶体管中的漏极中的一个或多个梳齿部与栅极短路时，通过切割工艺至少将与栅极短路的漏极的梳齿部与所述漏极的梳柄部断开；所述切割工艺的切割区域位于所述漏极的梳柄部与所述漏极的梳齿部的连接区域，该连接区域与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。

较佳地，当所述薄膜晶体管中的源极中的一个或多个梳齿部与栅极短路时，还包括：通过切割工艺将所述与栅极短路的源极的梳齿部相邻的漏极的梳齿部与该漏极的梳柄部断开，所述切割工艺的切割区域位于所述梳柄部与所述梳齿部的连接区域，该连接区域与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域；

当所述薄膜晶体管中的漏极中的一个或多个梳齿部与栅极短路时，还包括：通过切割工艺将所述与栅极短路的漏极的梳齿部相邻的源极的梳齿部与该源极的梳柄部断开，所述切割工艺的切割区域位于所述梳柄部与所述梳齿部的连接区域，该连接区域与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。

本发明实施例提供一种GOA电路，包括上述薄膜晶体管。

本发明实施例提供一种显示装置，包括上述GOA电路。