[发明专利]一架整片晶圆基片上硅晶体缺陷自动垂直刻蚀仪

说明书

技术领域

本发明涉及一种刻蚀仪，特别是一架整片晶圆基片上硅晶体缺陷自动垂直刻蚀仪。

背景技术

在半导体晶片圆盘制造中，硅基片上硅晶体缺陷直接影响到晶圆制造的产率。所以在一般的失效分析中，WRIGHT刻蚀方法常常被用作晶圆基片上硅晶体缺陷的刻划和分析，并以硅晶体缺陷的晶格、晶相、形状和大小以判断硅晶体缺陷的导因。在实际失效分析应用过程中，一般都采用小片样品，因为这样做容易去除刻蚀垃圾。但是，很多情况下，晶圆制造工程师希望用大片样品，并要求对整片晶圆来刻划和分析硅晶体缺陷，以便他们对晶片各部位的硅晶体缺陷的呈现与否进行比较。

目前还没有自动刻蚀分析仪器在失效分析实验室应用，对整片晶圆硅晶体缺陷的刻划和分析，采用的传统方法是在一个选定的塑料容器内进行水平式刻划，但面临刻划过程中刻蚀垃圾无法去除、刻蚀垃圾堆积在样品上、继而在用WRIGHT刻蚀液刻划硅晶体缺陷时引入人工缺陷假象的棘手问题。

发明内容

针对上述技术问题，本发明公开一架整片晶圆基片上硅晶体缺陷自动垂直刻蚀仪，包括：机壳1，其上设置有控制面板2，所述控制面板2的相对一侧设置有升降控制键3；刻蚀槽，包括第一刻蚀槽4和第二刻蚀槽5，所述第一刻蚀槽4和第二刻蚀槽5分别对称设置于刻蚀机械支架的两侧，所述刻蚀槽为垂直式；刻蚀机械支架，其设置在所述机壳1上，位于所述第一刻蚀槽4和第二刻蚀槽5的上方正中央；所述刻蚀机械支架包括水平移动支架和晶圆样品支架8，所述水平移动支架包括滑轨6以及能沿着滑轨6前后水平移动的滑块7，所述晶圆样品支架8连接于所述滑块7的两侧，晶圆样品悬挂在所述晶圆样品支架8的垂直臂上并分别插入至第一刻蚀槽4和第二刻蚀槽5内；所述滑块7与升降装置9相连接，用于升降所述刻蚀机械支架进行晶圆样品的放置和取下。

优选地，所述滑块7的前后水平移动距离为1～2cm。

本发明的有益效果是：通过对整片晶圆基片采用垂直悬挂式刻划方式，以及自动水平移动功能，通过重力作用有效去除样品刻蚀后的垃圾，克服了传统水平式刻划中刻蚀垃圾无法去除而堆积于样品上，从而造成人工缺陷假象，大大提高了硅晶体缺陷刻划和显现的准确性；且通过所述的双槽设计，从而实现了快速刻划半导体整片晶圆基片上的硅晶体缺陷，提高了失效分析的快速性和半导体晶圆制造的产率；所述垂直刻蚀仪还具有操作简便、快速和效率高的优点。

 

附图说明

图1是本发明所述整片晶圆基片上硅晶体缺陷自动垂直刻蚀仪的结构示意图。

 

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。

如图所示，本发明公开本发明公开一架整片晶圆基片上硅晶体缺陷自动垂直刻蚀仪，包括：机壳1，其上设置有控制面板2，所述控制面板2的相对一侧设置有升降控制键3；刻蚀槽，包括第一刻蚀槽4和第二刻蚀槽5，所述第一刻蚀槽4和第二刻蚀槽5分别对称设置于刻蚀机械支架的两侧，所述刻蚀槽为垂直式；刻蚀机械支架，其设置在所述机壳1上，位于所述第一刻蚀槽4和第二刻蚀槽5的上方正中央；所述刻蚀机械支架包括水平移动支架和晶圆样品支架8，所述水平移动支架包括滑轨6以及能沿着滑轨6前后水平移动的滑块7，所述晶圆样品支架8连接于所述滑块7的两侧，晶圆样品悬挂在所述晶圆样品支架8的垂直臂上并分别插入至第一刻蚀槽4和第二刻蚀槽5内；所述滑块7与升降装置9相连接，用于升降所述刻蚀机械支架进行晶圆样品的放置和取下。

优选地，所述滑块7的前后水平移动距离为1～2cm。

下面具体讲述本发明所述的一架整片晶圆基片上硅晶体缺陷自动垂直刻蚀仪的工作过程。

实施例1