[发明专利]多晶硅片的制绒工艺有效
申请号: | 201410267478.0 | 申请日: | 2014-06-08 |
公开(公告)号: | CN104009125A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 邬时伟 | 申请(专利权)人: | 邬时伟 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315613 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 硅片 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池的制作领域,尤其是涉及一种多晶硅片的制绒工艺。
背景技术
近年来,多晶硅太阳能电池以其转换效率较高、性能稳定和成本适中的特点而得到越来越广泛的应用,其产量已超越单晶硅,占据了市场的主导地位。
为了提高太阳能电池的电池转换效率,在制作时,需要先对硅片进行化学处理,使得硅表面做成一个具有一定形状的绒面,但是,依照现有技术,在对多晶硅太阳能电池片进行制绒后,所得硅片反射率偏高,且绒面的均匀性较差,多晶硅太阳能电池片的电池转换效率低。
发明内容
本发明为了克服上述的不足,提供了一种反射率较低,电池转换效率高的多晶硅片的制绒工艺。
本发明的技术方案如下:
一种多晶硅片的制绒工艺,包括以下步骤:
(1)在硅片表面喷涂一层碳化硅颗粒;
(2)在含有硝酸和氢氟酸的混合液中进行酸制绒;
(3)在氢氧化钾溶液中进行碱制绒;
(4)在含有盐酸和氢氟酸的混合液中进行酸洗;
(5)清洗并烘干。
步骤(1)中碳化硅颗粒的粒径在1-10μm之间。
步骤(2)混合液中硝酸的质量分数为35%,氢氟酸的质量分数为7%,硅片在15℃下制绒1.5min。
步骤(3)中氢氧化钾的质量分数为8%,硅片在35℃下制绒2min。
步骤(4)混合液中盐酸的质量分数为15%,氢氟酸的质量分数为10%,硅片在25℃下酸洗0.5min,以去除氧化层和附着的碱液。
步骤(5)中在清洗之后,在35℃下烘干2.5min。
本发明的有益效果是:
本发明先喷涂碳化硅颗粒作为保护颗粒,再用酸制绒,在多晶硅片表面形成腐蚀坑,而在该过程中,由于有保护颗粒,表面被颗粒覆盖处腐蚀缓慢,降低了硅片的反射率;然后再用碱制绒,在酸腐蚀形成的凹坑中腐蚀出金字塔的形貌,形成更多的光陷阱,改变了硅片表面的形貌结构,进一步降低了多晶硅制绒后的反射率,提高了多晶硅太阳能电池片的电池转换效率。
具体实施方式
现在对本发明作进一步详细的说明。
实施例1
一种多晶硅片的制绒工艺,包括以下步骤:
(1)在硅片表面喷涂一层粒径在1-2μm的碳化硅颗粒作为保护颗粒;
(2)在15℃的条件下,在含有质量分数为35%的硝酸和质量分数为7%的氢氟酸的混合液中酸制绒1.5min;
(3)在35℃的条件下,在质量分数为8%的氢氧化钾溶液中碱制绒2min;
(4)在25℃的条件下,在含有质量分数为15%的盐酸和质量分数为10%的氢氟酸的混合液中酸洗0.5min,以去除氧化层和附着的碱液;
(5)在清水中清洗,并在35℃下烘干2.5min。
通过上述方法生产出来的太阳能电池片反射率为24.8%,电池转换效率为17.51%。
实施例2
(1)在硅片表面喷涂一层粒径在5-6μm的碳化硅颗粒作为保护颗粒;
(2)在15℃的条件下,在含有质量分数为35%的硝酸和质量分数为7%的氢氟酸的混合液中酸制绒1.5min;
(3)在35℃的条件下,在质量分数为8%的氢氧化钾溶液中碱制绒2min;
(4)在25℃的条件下,在含有质量分数为15%的盐酸和质量分数为10%的氢氟酸的混合液中酸洗0.5min,以去除氧化层和附着的碱液;
(5)在清水中清洗,并在35℃下烘干2.5min。
通过上述方法生产出来的太阳能电池片反射率为22.3%,电池转换效率为17.62%。
实施例3
(1)在硅片表面喷涂一层粒径在9-10μm的碳化硅颗粒作为保护颗粒;
(2)在15℃的条件下,在含有质量分数为35%的硝酸和质量分数为7%的氢氟酸的混合液中酸制绒1.5min;
(3)在35℃的条件下,在质量分数为8%的氢氧化钾溶液中碱制绒2min;
(4)在25℃的条件下,在含有质量分数为15%的盐酸和质量分数为10%的氢氟酸的混合液中酸洗0.5min,以去除氧化层和附着的碱液;
(5)在清水中清洗,并在35℃下烘干2.5min。
通过上述方法生产出来的太阳能电池片反射率为23.1%,电池转换效率为17.55%。
对比例
传统的多晶硅制绒工艺如下:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的