[发明专利]能提高信号摆幅的CMOS图像传感器像素及其制作方法在审
| 申请号： | 201410256464.9 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN103996686A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 郭同辉;旷章曲;唐冕 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 信号 cmos 图像传感器 像素 及其 制作方法 | ||
1.一种能提高信号摆幅的CMOS图像传感器像素，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、行选择晶体管以及漂浮有源区，其特征在于，靠近所述漂浮有源区一侧的电荷传输晶体管沟道处设有N型杂质离子区，所述N型杂质离子区与所述漂浮有源区相接，并且不与所述光电二极管相接。
2.根据权利要求1所述的能提高信号摆幅的CMOS图像传感器像素，其特征在于，所述N型杂质离子区的势阱耗尽电势小于或等于所述光电二极管的完全耗尽电势。
3.一种权利要求1或2所述的能提高信号摆幅的CMOS图像传感器像素的制作方法，其特征在于，所述N型杂质离子区的制作工艺在浅槽隔离之后并且在多晶硅栅的制作工艺之前。
4.根据权利要求3所述的能提高信号摆幅的CMOS图像传感器像素的制作方法，其特征在于，包括步骤：
a.旋涂光刻胶；
b.曝光并显影，在预定区域光刻胶开口；
c.N型杂质离子注入；
d.清洗光刻胶。
5.根据权利要求4所述的能提高信号摆幅的CMOS图像传感器像素的制作方法，其特征在于，所述N型杂质离子采用磷离子和砷离子中的任一种或两种离子。
6.根据权利要求5所述的能提高信号摆幅的CMOS图像传感器像素的制作方法，其特征在于，所述N型杂质离子注入，采用磷离子的注入能量小于或等于90keV，注入剂量小于或等于5e12个离子/平方厘米。
7.根据权利要求5所述的能提高信号摆幅的CMOS图像传感器像素的制作方法，其特征在于，所述N型杂质离子注入，采用砷离子的注入能量小于或等于200keV，注入剂量小于或等于5e12个离子/平方厘米。
8.根据权利要求5所述的能提高信号摆幅的CMOS图像传感器像素的制作方法，其特征在于，所述N型杂质离子注入，采用磷离子的注入能量小于或等于90keV，采用砷离子的注入能量小于或等于200keV，两种离子的注入总剂量小于或等于5e12个离子/平方厘米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
