[发明专利]一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法及结构有效
| 申请号: | 201410255594.0 | 申请日: | 2014-06-10 |
| 公开(公告)号: | CN104022047B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
| 发明(设计)人: | 焦启刚;谢舒平 | 申请(专利权)人: | 平生医疗科技(昆山)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 李仪萍 |
| 地址: | 215343 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 潮解 辐射 晶体 面板 封装 方法 结构 | ||
技术领域
本发明涉及医疗成像、分子成像及高能物理领域,特别是涉及一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法及结构。
背景技术
在高能光子成像领域中一般都涉及到将高能光子信号装换成可以用常规处理电路来处理的探测器信号,以满足应用要求。这中常规信号一般都是将高能光子转换成可见光。而这种用于进行高能光子转换成可见光的物质一般都是辐射晶体。因此辐射晶体在高能成像领域至关重要。而一些性能的辐射晶体由于本身亦潮解等问题,如稀土卤系组成的辐射晶体,这类材料对水气比较敏感,非常容易潮解,因此封装问题是非常重要的。在辐射影像应用领域中,NaI、CsI、LaBr3辐射晶体易潮解。无论是以前的NaI、CsI等晶体,还是近年来新兴的La(镧)系组成的晶体中,这些晶体都非常易潮解,潮解后对闪烁晶体的性能大大下降甚至失去原有的功效。因此如何封装成为很重要的问题。
在通常的封装方案中,一种方式是在常规晶体表面CVD方式封装有机膜,对CsI辐射晶体面板典型的代表封装方式为Hamamatsu用CVD蒸镀聚对二甲苯(perlin)蒸镀,如专利申请号为99808601的公开文本。对于NaI、LaBr3等晶体的封装一般都为四周透明玻璃封装。辐射晶体面板传统工艺封装中,CVD方法进行聚对二甲苯生长时,其速度很慢,生长速度约100~2000埃每分钟,以此速度计算,专利申请99808601中的聚对二甲苯生长需要100~2000分钟,并且在封装工艺中,需进行两次CVD聚对二甲苯的生长以及一次SiO2的溅射生长,工艺步骤相当复杂。该类封装封住工艺比较繁琐,而且效果不佳,有些封装会对辐射晶体本身的性能带来影响。
因此,提供一种工艺步骤及结构简单,防水性能良好、成本较低的辐射晶体面板的封装方法及结构实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法及结构,用于解决现有技术中易潮解性辐射晶体面板的封装方法及结构工艺步骤及结构复杂、防水性能不佳及成本过高等问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法,包括以下步骤:
1)提供一基板,对所述基板进行预处理使其适于辐射晶体生长;
2)于所述基板上生长辐射晶体;
3)于所述辐射晶体上涂覆有机材料层,并于所述有机材料层表面封装防水透光膜。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法的一种优选方案,步骤1)预处理至少包括对所述基板进行清洗及干燥的步骤。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法的一种优选方案,步骤2)采用真空生长的方式于所述基板上生长辐射晶体。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法的一种优选方案,步骤3)于匀胶设备中于所述辐射晶体上涂覆有机材料层,所述有机材料层包括环氧树脂、硅胶、光学水泥中的一种或两种以上组合,所述有机材料层的厚度为5微米~500微米。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法的一种优选方案,所述防水透光膜为有机膜或无机膜,步骤3)包括以下步骤:
3-1)于所述辐射晶体上涂覆有机材料层;
3-2)提供一有机膜,于所述有机材料层表面贴合所述有机膜;
3-3)固化所述有机材料层。
或者包括步骤:
3-1)于所述辐射晶体上涂覆有机材料层;
3-2)固化所述有机材料层;
3-3)提供一具有粘性的有机膜,于所述有机材料层表面贴合所述有机膜;
或者包括步骤:
3-1)于所述辐射晶体上涂覆有机材料层;
3-2)固化所述有机材料层;
3-3)于所述有机材料层表面沉积所述无机膜。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法的一种优选方案,所述基板包括支撑板或感光器件;所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构;所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管、硅积光电倍增管、非晶硅TFT及CMOS光电二极管。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法的一种优选方案,所述辐射晶体为包括CsI、CsI(Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、NaI、NaI(Tl)的卤系易潮解晶体。
本发明还提供一种易潮解性辐射晶体面板的封装结构,包括
基板;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





