[发明专利]通过合适的热处理制造光伏器件的方法有效
| 申请号： | 201410253868.2 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104952982B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王晨昀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 合适 热处理 制造 器件 方法 | ||
1.一种制造光伏器件的方法，包括：
在所述光伏器件的衬底之上形成吸收层；
在所述吸收层上方形成缓冲层；
以第一加热速率将所述光伏器件预加热至选择的温度，所述第一加热速率大于5℃/分钟；以及
在预加热所述光伏器件的步骤之后，在所述选择的温度下在所述缓冲层上方形成正面接触层。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在形成所述吸收层的步骤之前，在所述衬底之上形成背面接触层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述第一加热速率在从5℃/分钟至25℃/分钟的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述第一加热速率在从6℃/分钟至22℃/分钟的范围内。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述第一加热速率在从8℃/分钟至11℃/分钟的范围内。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述选择的温度在从150℃至200℃的范围内。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，
通过化学汽相沉积实施形成所述正面接触层的步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述正面接触层包括硼掺杂的氧化锌，并且使用含锌前体和含硼前体通过化学汽相沉积形成所述正面接触层。
9.一种制造光伏器件的方法，包括：
在所述光伏器件的衬底之上形成吸收层；
在所述吸收层上方形成缓冲层；
在热预算小于150000度*秒的情况下，将所述光伏器件预加热至选择的温度，其中，在所述预加热期间将所述热预算限定为温度相对于时间的积分；以及
在预加热所述光伏器件的步骤之后，在所述选择的温度下在所述缓冲层上方形成正面接触层。
10.一种制造光伏器件的方法，包括：
在衬底之上形成背面接触层；
在所述背面接触层之上形成吸收层；
在所述吸收层上方形成缓冲层；
在热预算为30000度*秒至150000度*秒的范围内的情况下，将所述光伏器件预加热至选择的温度，在所述预加热期间将所述热预算限定为温度相对于时间的积分；以及
在所述预加热的步骤之后，在所述选择的温度下在所述缓冲层上方形成正面接触层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
