[发明专利]液晶显示装置及包括该液晶显示装置的电子设备

说明书

本发明申请是本发明申请人于2012年4月9日进入中国国家阶段的、申请号为201080046493.2、发明名称为“液晶显示装置及包括该液晶显示装置的电子设备”的发明申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及液晶显示装置。另外，本发明涉及具备该液晶显示装置的电子设备。

背景技术

如以液晶显示装置为代表那样，形成在诸如玻璃衬底等的平板上的薄膜晶体管使用非晶硅或多晶硅来形成。使用非晶硅制造的薄膜晶体管具有如下特性：虽然其场效应迁移率低，但是能形成在较大的玻璃衬底上。另一方面，使用多晶硅制造的薄膜晶体管具有如下特性：虽然其场效应迁移率高，但是需要进行诸如激光退火等的晶化工序，且不一定适合于较大的玻璃衬底。

鉴于上述情况，使用氧化物半导体来制造薄膜晶体管，且将它应用于电子设备和光装置的技术方案受到关注。例如，专利文献1公开了作为氧化物半导体膜使用氧化锌、In-Ga-Zn-O类氧化物半导体来制造薄膜晶体管，且将这种晶体管用于液晶显示装置的开关元件等的技术方案。

专利文献1：日本专利申请公开2009-099887号

将氧化物半导体用作沟道区域的薄膜晶体管的场效应迁移率高于将非晶硅用作沟道区域的薄膜晶体管的场效应迁移率。期待具备使用氧化物半导体来形成的这种薄膜晶体管的像素应用于诸如液晶显示装置等的显示装置。另外，在诸如三维显示器、4k2k显示器等的具有更高的附加价值的液晶显示装置中，期待每个像素的面积减小，且希望具有开口率得到提高的像素的液晶显示装置。

发明内容

考虑到前述情况，本发明的目的之一是提供一种具有高的开口率的液晶显示装置，其中液晶显示装置所具有的像素具备使用氧化物半导体的薄膜晶体管。

根据本发明的一个实施方式是一种液晶显示装置，包括：具有薄膜晶体管及像素电极的像素。该像素与用作扫描线的第一布线电连接。该薄膜晶体管具有在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层延伸以超出设置有第一布线的区域的边缘。像素电极和氧化物半导体层彼此重叠。

根据本发明的一个实施方式是一种液晶显示装置，包括：具有薄膜晶体管及像素电极的像素。该像素与用作扫描线的第一布线及用作信号线的第二布线电连接。该薄膜晶体管具有在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层延伸以超出设置有第一布线的区域的边缘。第二布线延伸到第一布线上的栅极绝缘膜上，且在氧化物半导体层上并与氧化物半导体层接触，像素电极和氧化物半导体层彼此重叠。

根据本发明的一个实施方式是一种液晶显示装置，包括：薄膜晶体管及像素电极。该像素与用作扫描线的第一布线及用作信号线的第二布线电连接，该薄膜晶体管具有在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层延伸以超出设置有第一布线的区域的边缘。第二布线延伸到第一布线上的栅极绝缘膜及该栅极绝缘膜上的层间绝缘膜上，且在氧化物半导体层上并与氧化物半导体层接触。像素电极和氧化物半导体层彼此重叠。

可以实现具备使用氧化物半导体的薄膜晶体管的像素的开口率的提高。由此，可以提供具有高清晰显示部的液晶显示装置。

附图说明

在附图中：

图1A和图1B是液晶显示装置的俯视图及截面图；

图2A至图2D是图示液晶显示装置的截面图；

图3A和图3B各是图示液晶显示装置的俯视图；

图4A和图4B是液晶显示装置的俯视图及截面图；

图5A和图5B各是图示液晶显示装置的俯视图；

图6A至图6C是液晶显示装置的俯视图及截面图；

图7是液晶显示装置的电路图；

图8A和图8B各是图示液晶显示装置的电路图；

图9A和图9B是图示液晶显示装置的电路图及时序图；

图10A和图10B各是图示液晶显示装置的电路图；

图11A和图11B各是图示液晶显示装置的电路图；

图12A至图12C各图示电子设备；

图13A至图13C各图示电子设备；以及

图14A和图14B是液晶显示装置的俯视图及截面图。

具体实施方式