[发明专利]液晶显示装置及包括该液晶显示装置的电子设备有效
| 申请号： | 201410253700.1 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103984176A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 荒泽亮;宍户英明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;汤春龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 包括 电子设备 | ||
1. 一种液晶显示装置，包括：
第一导电膜；
第二导电膜；
第三导电膜；以及
晶体管,
其中，所述晶体管包括氧化物半导体层，
所述氧化物半导体层包括铟、镓及锌，
所述氧化物半导体层具有结晶性，
所述第一导电膜包括被用作所述晶体管的栅极的第一区域，
所述晶体管在与所述栅极重叠的区域的所述氧化物半导体层中包括沟道形成区，
所述液晶显示装置包括接触于所述沟道形成区上的氧化物绝缘层，
所述氧化物绝缘层包括氧化硅，
所述第一导电膜包括超过在所述氧化物半导体层的沟道宽度方向上的端部的第二区域，
所述第一导电膜包括比所述被用作栅极的第一区域的宽度小的第三区域，
所述第三区域被用作扫描线，
所述第二导电膜被用作信号线，
所述信号线与所述晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三导电膜电连接，
所述第三导电膜与像素电极电连接，
所述第二导电膜及所述第三导电膜是通过对形成在所述氧化物半导体层上的导电层进行蚀刻工序而形成的，
所述氧化物半导体层包括其在沟道宽度方向上的长度大于所述沟道形成区的沟道长度的区域，
并且，所述氧化物半导体层包括其在沟道长度方向上的长度大于所述第一导电膜的所述第三区域的宽度的区域。
2. 一种液晶显示装置，包括：
第一导电膜；
第二导电膜；
第三导电膜；以及
晶体管,
其中，所述晶体管包括氧化物半导体层，
所述氧化物半导体层包括铟、镓及锌，
所述氧化物半导体层具有结晶性，
所述第一导电膜包括被用作所述晶体管的栅极的第一区域，
所述晶体管在与所述栅极重叠的区域的所述氧化物半导体层中包括沟道形成区，
所述液晶显示装置包括接触于所述沟道形成区上的氧化物绝缘层，
所述氧化物绝缘层包括氧化硅，
所述第一导电膜包括超过在所述氧化物半导体层的沟道宽度方向上的端部的第二区域，
所述第一导电膜包括比所述被用作栅极的第一区域的宽度小的第三区域，
所述第三区域被用作扫描线，
所述第二导电膜被用作信号线，
所述信号线与所述晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三导电膜电连接，
所述第三导电膜与像素电极电连接，
所述第二导电膜及所述第三导电膜是通过对形成在所述氧化物半导体层上的导电层进行蚀刻工序而形成的，
所述氧化物半导体层包括其在沟道宽度方向上的长度大于从重叠于所述氧化物半导体层的所述第二导电膜的端部到重叠于所述氧化物半导体层的所述第三导电膜的端部为止的距离的区域，
并且，所述氧化物半导体层包括其在沟道长度方向上的长度大于所述第一导电膜的所述第三区域的宽度的区域。
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