[发明专利]一种含Ni钴基非晶巨磁阻抗合金薄带及其制备方法

权利要求书

1.一种含Ni钴基非晶巨磁阻抗合金薄带，其特征在于，合金薄带的成分组成由化学式表示为Co₆₈Fe_7-xN_ixSi₁₅B₁₀，其中，0＜x≤6。

2.根据权利要求1所述的一种含Ni钴基非晶巨磁阻抗合金薄带，其特征在于，所述的合金薄带的宽度为1～2mm，厚度为30～35μm。

3.一种如权利要求1所述的含Ni钴基非晶巨磁阻抗合金薄带的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)配比母合金原料：按Co₆₈Fe_7-xN_ixSi₁₅B₁₀中各元素的比例将钴、铁、镍、硅、硼合金配置成成分为Co₆₈Fe_7-xN_ixSi₁₅B₁₀的母合金原料，其中，0＜x≤6；

(2)母合金熔炼：将母合金原料装入真空感应熔炼炉的坩埚中，真空条件下采用中频感应熔炼的方法把母合金原料反复熔炼3遍以上，并浇注成合金锭；

(3)合金锭清洗：将步骤(2)得到的合金锭破碎，将破碎的块体合金依次放入丙酮溶液和酒精溶液中进行超声清洗，取出后晾干待用；

(4)急冷制带：将清洗干净的块体合金放入急冷制带设备的石英管中，采用单辊快淬法制备出成分为Co₆₈Fe_7-xN_ixSi₁₅B₁₀的非晶薄带。

4.根据权利要求3所述的一种含Ni钴基非晶巨磁阻抗合金薄带的制备方法，其特征在于，步骤(2)中对母合金原料反复熔炼的过程中进行搅拌，使合金成分均匀。

5.根据权利要求3所述的一种含Ni钴基非晶巨磁阻抗合金薄带的制备方法，其特征在于，母合金熔炼时真空度控制在10^-5Pa，，熔炼温度1400～1500℃，熔炼时间为10～30分钟。

6.根据权利要求3所述的一种含Ni钴基非晶巨磁阻抗合金薄带的制备方法，其特征在于，单辊快淬时母合金温度为1400～1500℃，熔融的合金喷至旋转的水冷铜辊上，冷却速度为25～30m/s。