[发明专利]CMOS工艺、CMOS晶体管和AMOLED在审
| 申请号： | 201410225839.5 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104167390A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 赵大庸;郎丰伟 | 申请（专利权）人： | 四川虹视显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/32 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 晶体管 amoled | ||
【权利要求书】：
1.一种CMOS工艺，包括步骤：
S1、形成缓冲层；
S2、形成非晶硅层；
S3、沟道参杂P型离子和N型离子；
S4、结晶化及LTPS patterning；
S5、形成栅极绝缘层及栅极电极；
S6、掺杂LTPS源极区域及漏极区域；
S7、形成层间绝缘层及接触孔；
S8、形成源电极及漏电极。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，执行步骤S3先过量掺杂P型离子至PMOS及NMOS TFT的阈值电压偏向正极性方向，然后掺杂N型离子至PMOS及NMOS TFT的阈值电压向负极性方向偏移到阈值电压差接近0V以得到CMOS特性为止。
3.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于，P型离子为B，N型离子为P、As、Sb、Bi中一种或多种的组合。
4.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于，步骤S3中进一步优选方案为，NMOS及PMOS TFT的阈值电压偏向正极性至2V，B的掺杂量不少于2.4E17/cm3。
5.一种CMOS晶体管，其特征在于，PMOS及NMOS TFT沟道通过上述方法掺杂有P型离子和N型离子。
6.根据权利要求5所述的COMS TFT，其特征在于，所述CMOS晶体管的P型离子掺杂量不少于2.4E17/cm3。
7.一种AMOLED，其特征在于，使用上述CMOS晶体管作为驱动单元元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川虹视显示技术有限公司，未经四川虹视显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410225839.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：采用汽缸停缸的涡轮增压发动机
- 下一篇：一种地下采矿出矿系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
