[发明专利]一种基于片上定向耦合器的调频连续波雷达

权利要求书

1.一种基于片上定向耦合器的调频连续波雷达，包括锁相环、压控振荡器、功率放大器、低噪声放大器、混频器、中频放大器、数字处理模块和天线，所述锁相环的输出端与所述压控振荡器的输入端相连，所述压控振荡器的输出端分别与所述功率放大器的输入端、所述混频器的输入端相连，所述低噪音放大器的输出端与所述混频器的输入端相连，所述混频器的输出端与所述中频放大器的输入端相连，所述中频放大器的输出端与所述数字处理模块的输入端相连，其特征在于，还包括片上定向耦合器，所述片上定向耦合器分别与所述功率放大器、所述低噪音放大器及所述天线相连；所述调频连续波雷达不包含环形器。

2.如权利要求1所述的基于片上定向耦合器的调频连续波雷达，其特征在于，所述定向耦合器包括上层线圈、下层线圈，所述上层线圈、下层线圈设置在硅基衬底上。

3.如权利要求2所述的基于片上定向耦合器的调频连续波雷达，其特征在于，所述上层线圈包括直通端和输入端，在所述直通端与所述输入端之间设有一可调电容阵列Cp；所述下层线圈包括耦合端和隔离端，在所述耦合端和所述隔离端之间设有一可调电容阵列Cs。

4.如权利要求2所述的基于片上定向耦合器的调频连续波雷达，其特征在于，所述上层线圈包括耦合端和隔离端，在所述耦合端和所述隔离端之间设有一可调电容阵列Cs；所述下层线圈包括直通款和输入端，在所述直通端与所述输入端之间设有一可调电容阵列Cp。

5.如权利要求3或4所述的基于片上定向耦合器的调频连续波雷达，其特征在于，所述上层线圈的端口与所述下层线圈的端口呈90°。

6.如权利要求3或4所述的基于片上定向耦合器的调频连续波雷达，其特征在于，所述定向耦合器的直通端与所述天线相连，所述定向耦合器的输入端与所述功率放大器的输出端相连，所述定向耦合器的耦合端与所述低噪音放大器的输入端相连，所述定向耦合器的隔离端与接地电阻相连。

7.如权利要求2～4中任一项所述的基于片上定向耦合器的调频连续波雷达，其特征在于，所述上层线圈由金属线绕成互不接触的M圈，跨接部分由第M-1层金属连接；所述下层线圈由金属线绕成N圈，跨接部分由第N+1层金属连接，其中N≥1，M≥N+2。

8.如权利要求7所述的基于片上定向耦合器的调频连续波雷达，其特征在于，所述上层金属线圈的间距中心与下层金属线圈的金属线中心重合，上层金属线圈的金属线中心与下层金属线圈的间距中心重合。

9.如权利要求2所述的基于片上定向耦合器的调频连续波雷达，其特征在于，所述上层线圈的各圈为正方形、圆形、长方形、八边形中的一种，所述下层线圈的各圈形状与所述上层线圈的各圈形状相同。