[发明专利]双垂直窗三埋层SOI高压器件结构

权利要求书

1.一种双窗双埋层SOI高压器件结构，包括三层埋氧层以及埋氧层之间的多晶硅层，其特征在于所开的两个窗（第一埋层两端分别与第二埋层两端的连线）不与埋层平行或者第一埋层与第二埋层不在同一平面上，一二层与第三层埋层之间的填充多晶硅。

2.如权利要求1所述的双窗双埋层SOI高压器件结构，其特征在于，所述窗口与埋层所成的角度为大于0°小于180°的角。

3.如权利要求1所述的双窗双埋层SOI高压器件结构，所述前两层埋氧层是可互换的，即第一埋层下降到第二埋层之下。

4.如权利要求1所述的双窗双埋层SOI高压器件结构，所述前两层埋氧层之间的垂直距离可变。

5.如权利要求1所述的双窗双埋层SOI高压器件结构，所述的第一层与第三层的连接层到器件左边界的距离是可变的。

6.如权利要求1所述的双窗双埋层SOI高压器件结构，所述的多晶硅可以换成其他材料。