[发明专利]非易失性存储器NVM页框初始化方法、装置和系统有效
申请号: | 201410209672.3 | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN105094689B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 夏飞;蒋德钧;熊劲 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司;中国科学院计算技术研究所 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 页框 初始化处理 初始化 处理策略 写操作 预设 非易失性存储器 内存使用 全部位置 系统性能 能耗 缓解 | ||
本发明实施例提供一种NVM页框初始化方法、装置和系统。NVM页框初始化方法,包括:确定是否需要对NVM中的页框中的数据进行部分初始化处理;若需要,则采用预设的处理策略对所述页框中部分位置的数据进行初始化处理。本发明实施例,在对NVM中的页框进行初始化时,可以先确定是否需要对NVM中的页框中的数据进行部分初始化处理,如果需要,则可以采用预设的处理策略对所述页框中部分位置的数据进行初始化处理,而非如现有技术对页框中的全部位置的数据进行初始化处理,从而尽可能降低对NVM的写操作次数,进而提高系统性能、缓解内存使用寿命,降低写操作能耗。
技术领域
本发明实施例涉及存储技术,尤其涉及一种非易失性存储器(Non-VolatileMemory,以下简称:NVM)页框初始化方法、装置和系统。
背景技术
在计算机系统中,内存一般由动态随机访问存储器(Dynamic Random AccessMemory,以下简称:DRAM)构成。
由于DRAM集成度低,容量有限;而且,DRAM需要不断的刷新操作以保证数据不丢失,因此能耗较高。与DRAM相比,NVM能耗更低,并且由于集成度高,可以做到更大的容量。因此,随着应用对内存容量的要求越来越大以及对能耗要求越来越高,采用NVM作为内存的计算机系统是未来发展的一个重要方向。
但是,采用NVM作为内存的计算机系统,在对NVM中的页框进行初始化时,时常出现系统性能下降、内存使用寿命降低且能耗升高的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种NVM页框初始化方法、装置和系统。
第一方面,提供一种NVM页框初始化方法,包括:
确定是否需要对NVM中的页框中的数据进行部分初始化处理;
若需要,则采用预设的处理策略对所述页框中部分位置的数据进行初始化处理。
第二方面,提供一种NVM页框初始化处理装置,包括:
确定模块,用于确定是否需要对NVM中的页框中的数据进行部分初始化处理;
初始化处理模块,用于若需要,则采用预设的处理策略对所述页框中部分位置的数据进行初始化处理。
第三方面,提供一种内存控制器,包括上述的NVM页框初始化处理装置。
第四方面,提供一种内存系统,包括:上述的内存控制器和NVM。
第五方面,提供一种计算机系统,包括:处理器和上述的内存系统。
本发明实施例,在对NVM中的页框进行初始化时,可以先确定是否需要对NVM中的页框中的数据进行部分初始化处理,如果需要,则可以采用预设的处理策略对所述页框中部分位置的数据进行初始化处理,而非如现有技术对页框中的全部位置的数据进行初始化处理,从而尽可能降低对NVM的写操作次数,进而提高系统性能、缓解内存使用寿命,降低写操作能耗。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明NVM页框初始化方法实施例一的流程图;
图2为本发明NVM页框初始化处理装置实施例的结构示意图;
图3为本发明内存系统实施例的结构示意图;
图4为本发明计算机系统实施例的结构示意图。
具体实施方式
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