[发明专利]元件基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410208389.9 申请日: 2014-05-16
公开(公告)号: CN104007621B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 裴锴 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G02F1/1333
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 代理人: 梁挥,常大军
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 元件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种元件基板及其制造方法,且特别涉及一种具有曝光开口的元件基板及其制造方法。

背景技术

近年来,随着信息技术、无线移动通讯和信息家电的快速发展与应用,为了达到更便利、体积更轻巧化以及更人性化的目的,许多信息产品已由传统的键盘或鼠标等输入装置,转变为使用触控显示面板作为输入装置,其中触控显示面板更为现今最流行的产品。

现有的触控显示面板主要是由主动元件阵列基板、对向基板(例如彩色滤光基板)以及配置于上述二基板之间的显示介质所组成。再者,多个主间隙物以及多个次间隙物位于主动元件阵列基板与对向基板之间,且例如是可配置于对向基板或主动元件阵列基板上。在现有的触控显示面板的元件基板(例如对向基板、彩色滤光基板或主动元件阵列基板等)的制造方法中,需要藉由相转移光罩(phase shift mask)、半调式光罩(half tone mask)或灰阶光罩(gray tone mask)来制作出高度不同的主间隙物及次间隙物。然而,间隙物的材料一般为透明材料且UV透光率高,因此曝光量要很低才能达到高段差(即高度差大)的需求,但此段差的控制能力受限于相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩在低穿透时的稳定度。再者,由于相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩在出厂后透光率已为固定值,因此会使得曝光量的可调整范围亦受限。此外,相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩还具有成本昂贵以及备料时间较长等问题。因此,如何可用一般的光罩(亦即,不使用相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩)来制作出高度不同的主间隙物及次间隙物且具有良好的段差(即高度差)控制能力,实为目前显示面板的生产技术上亟待克服的课题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种元件基板及其制造方法,可用一般的光罩来制作出高度不同的主间隙物及次间隙物且具有良好的段差控制能力。

本发明提出一种元件基板,包含基底以及图案化遮光层。图案化遮光层位于基底上,图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口,且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状不同。

本发明另提出一种元件基板,具有多个次像素区,且元件基板包含基底以及多个间隙物。多个间隙物配置于基底上,间隙物的材料包含光敏材料。各间隙物具有顶部、连接部以及底部,连接部位于顶部与底部之间,其中连接部的光敏材料的交联密度小于或等于顶部及底部中至少一个的光敏材料的交联密度,或者是连接部的光敏材料的分解强度大于或等于顶部及底部中至少一个的光敏材料的分解强度。

本发明又提出一种元件基板的制造方法,其包含以下步骤。提供基底。形成图案化遮光层于基底上,图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口,且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状不同。形成光阻材料层于图案化遮光层上。对光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺,以形成多个第一间隙物于基底上,其中第一间隙物的垂直投影分别与第一曝光开口重叠。

基于上述,除了可用一般的光罩为遮罩对光阻材料层进行正曝之外,还可以图案化遮光层为遮罩对光阻材料层进行背曝,其中光阻材料层可为负型光阻或正型光阻。如此一来,可藉由正曝、背曝、不曝光及显影等步骤的搭配使用不同曝光剂量(饱和曝光/非饱和曝光)或不同波长组成的控制,以制作出高度不同的主间隙物及次间隙物且具有良好的段差(即高度差)控制能力,故根据本发明的元件基板及其制造方法具有成本较低以及工艺简易等优点。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A为依照本发明的第一实施例的元件基板的俯视示意图;

图1B为图1A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图;

图2A至图2D为图1B的元件基板的制造方法的剖视示意图;

图3A为依照本发明的第二实施例的元件基板的俯视示意图;

图3B为图3A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图;

图4A至图4D为图3B的元件基板的制造方法的剖视示意图;

图5A及图5B为依照本发明的其他实施例的元件基板的剖视示意图;

图6A为依照本发明的第三实施例的元件基板的俯视示意图;

图6B为图6A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图;

图7A至图7D为图6B的元件基板的制造方法的剖视示意图;

图8A为依照本发明的第四实施例的元件基板的俯视示意图;

图8B为图8A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图;

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