[发明专利]元件基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410208389.9 申请日: 2014-05-16
公开(公告)号: CN104007621B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 裴锴 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G02F1/1333
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 代理人: 梁挥,常大军
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种元件基板,其特征在于,包含:

一基底;以及

一图案化遮光层,位于该基底上,该图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口,且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状为不同。

2.根据权利要求1所述的元件基板,其特征在于,任意一第一曝光开口位于两相邻的像素开口之间,该第一曝光开口的宽度为4微米至40微米,该像素开口的宽度为12微米至120微米。

3.根据权利要求1所述的元件基板,其特征在于,更包含多个第一间隙物位于该基底上,该些第一间隙物的垂直投影分别与该些第一曝光开口重叠,其中每一该第一间隙物的高度为介于1微米至6微米。

4.根据权利要求3所述的元件基板,其特征在于,更包含多个彩色滤光图案分别位于该些像素开口内,而不位于该些第一曝光开口内。

5.根据权利要求3所述的元件基板,其特征在于,更包含多个第二间隙物位于该基底上,该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外,其中(a)当该些第一间隙物以及该些第二间隙物的材料为负型光阻时,该些第一间隙物的高度大于该些第二间隙物的高度;(b)当该些第一间隙物以及该些第二间隙物的材料为正型光阻时,该些第二间隙物的高度大于该些第一间隙物的高度。

6.根据权利要求3所述的元件基板,其特征在于,更包含多个第二间隙物位于该基底上,该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外,其中(a)当该些第一间隙物以及该些第二间隙物的材料为负型光阻时,该些第一间隙物的高度大于该些第二间隙物的高度,其中各该第一间隙物具有一第一部分以及连接于该第一部分外围的一第二部分,该第一部分在该图案化遮光层上的垂直投影与相应的该第一曝光开口重叠,该第二部分在该图案化遮光层上的垂直投影位于相应的该第一曝光开口之外,该第一部分的高度大于该第二部分的高度;(b)当该些第一间隙物以及该些第二间隙物的材料为正型光阻时,该些第二间隙物的高度大于该些第一间隙物的高度,该图案化遮光层更具有多个第二曝光开口,其中各该第二间隙物具有一第一部分以及连接于该第一部分外围的一第二部分,该第二部分在该图案化遮光层上的垂直投影与相应的该第二曝光开口重叠,该第一部分的高度大于该第二部分的高度。

7.根据权利要求3所述的元件基板,其特征在于,该图案化遮光层更具有多个透光图案,该元件基板更包含多个第二间隙物以及多个第三间隙物位于该基底上,该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外,该些第三间隙物在该图案化遮光层上的垂直投影分别与该些透光图案重叠,该些第三间隙物的高度介于该些第一间隙物的高度与该些第二间隙物的高度之间,其中(a)当该些第一间隙物、该些第二间隙物以及该些第三间隙物的材料为负型光阻时,该些第二间隙物的高度小于该些第一间隙物的高度;(b)当该些第一间隙物、该些第二间隙物以及该些第三间隙物的材料为正型光阻时,该些第一间隙物的高度小于该些第二间隙物的高度。

8.根据权利要求3所述的元件基板,其特征在于,该图案化遮光层更具有多个透光图案,该些透光图案的透光率低于该些第一曝光开口的透光率,该元件基板更包含多个第二间隙物以及多个第三间隙物位于该基底上,该些第二间隙物的垂直投影位于该些第一曝光开口之外,该些第三间隙物在该图案化遮光层上的垂直投影分别与该些透光图案重叠,该些第三间隙物的高度介于该些第一间隙物的高度与该些第二间隙物的高度之间,该些第二间隙物与该些第一间隙物以及该些第三间隙物连接,其中该些第一间隙物、该些第二间隙物以及该些第三间隙物的材料为负型光阻,该些第二间隙物的高度小于该些第一间隙物的高度。

9.根据权利要求3所述的元件基板,该些第一间隙物的材料包含一光敏材料,各该第一间隙物具有一顶部、一连接部以及一底部,该连接部位于该顶部与该底部之间,其中该连接部的该光敏材料的交联密度小于或等于该顶部及该底部中至少一个的该光敏材料的交联密度,或者是该连接部的该光敏材料的分解强度大于或等于该顶部及该底部中至少一个的该光敏材料的分解强度。

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