[发明专利]一种离子注入的方法

权利要求书

1.一种离子注入的方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板表面制备石墨薄膜；

通过一次构图工艺形成石墨掩膜层；

以所述石墨掩膜层为掩膜进行离子注入。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成石墨掩膜层具体包括：

在所述石墨薄膜上涂覆光刻胶，通过一次光刻工艺形成光刻胶图案层；

以所述光刻胶图案层为掩膜，对所述石墨薄膜进行干法刻蚀，形成所述石墨掩膜层；

去除所述光刻胶图案层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻胶图案层的去除方法包括湿法剥离。

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述在基板表面制备石墨薄膜具体包括：在半导体基板的表面沉积所述石墨薄膜；

其中，所述半导体基板包括导体/绝缘衬底基板和位于所述导体/绝缘衬底基板表面的半导体薄膜；或者，

所述半导体基板为半导体衬底基板。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在基板表面制备石墨薄膜之前，所述方法还包括：

清洗所述半导体基板。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在以所述石墨掩膜层为掩膜进行离子注入之后，所述方法还包括：

去除所述石墨掩膜层，并清洗离子注入后的所述半导体基板。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除所述石墨掩膜层具体包括：

采用干法刻蚀去除所述石墨掩膜层；

其中，所述干法刻蚀包括等离子体刻蚀。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀包括氧气等离子体刻蚀。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板表面制备石墨薄膜具体包括：通过磁控溅射或者等离子体增强化学气相沉积法在基板表面制备所述石墨薄膜。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨薄膜的厚度为10-150nm。