[发明专利]一种以TiH2为烧结助剂的B4C基陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种以TiH₂为烧结助剂的B₄C基陶瓷材料，由B₄C粉末和TiH₂粉末混合后烧结制成，其特征在于：

各组分质量百分比为：B₄C粉末90％～99％、TiH₂粉末1％～10％；

所述B₄C粉末平均粒径为2微米～5微米，纯度大于99％；

所述TiH₂粉末粒度小于325目，纯度大于99％。

2.权利要求1所述的B₄C基陶瓷材料的制备方法，包括混合步骤和烧结步骤，其特征在于：

(1)混合步骤：按质量百分比：B₄C粉末90％～99％、TiH₂粉末1％～10％，将B₄C粉末和TiH₂粉末置于球磨机中，再以无水乙醇和玛瑙球为介质，球磨混合6h～24h；真空条件下旋转蒸发，然后在真空干燥箱中50℃～80℃温度下干燥24h以上，采用100目～400目筛网过筛，制得混合粉末；

(2)烧结步骤：根据所需陶瓷材料厚度，将所述混合粉末放入石墨模具中，再将石墨模具放入热压烧结炉或者放电等离子体烧结炉内，在氩气为保护性气体的气氛中或真空中进行烧结；

热压烧结炉温度1700℃～2000℃，升温速率10℃/min～50℃/min，烧结压力为30MPa～60MPa，在最高温度下保温保压0.5h～2h，自然冷却后即得；

放电等离子体烧结炉温度1600℃～1800℃，升温速率50℃/min～200℃/min，烧结压力为30MPa～80MPa，在最高温度下保温保压3min～10min，自然冷却后即得。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

所述混合步骤中，所述B₄C粉末平均粒径为2微米～5微米，纯度大于99％；所述TiH₂粉末粒度小于325目，纯度大于99％。