[发明专利]存储器及包括其的存储系统

说明书

一种存储器包括：多个字线，每个字线与一个或更多个存储器单元连接；地址检测单元，适用于检测多个字线之中的目标字线的目标地址，其中，目标字线具有满足预定条件的激活历史；以及控制单元，适用于：每当施加有刷新命令时激活多个字线之中的一个或更多个字线，以及在目标地址的检测之后响应于刷新命令而激活一个或更多个相邻字线，其中，相邻字线与目标字线相邻且通过目标地址来识别。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年5月28日提交的第10-2013-0060476号韩国专利申请的优先权，其全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及可防止由于存储器单元中的字线干扰而导致储存的数据劣化的存储器及包括所述存储器的存储系统。

背景技术

随着存储器的集成度提高，存储器中包括的多个字线之间的间隔减小。随着字线之间的间隔减小，相邻的字线之间的耦合效应增大。

每当数据输入至存储器单元以及从存储器单元输出数据时，字线在激活或活动状态与去激活或不活动状态之间触发。如上文所述，随着相邻的字线之间的耦合效应增大，与频繁激活的字线相邻的字线相连接的存储器单元的数据受损。这是已知的字线干扰。由于字线干扰，会出现存储器单元的数据可在存储器单元被刷新之前受损的问题。

图1是说明存储器中包括的单元阵列的一部分的图。

在图1中，“WLL”指示具有大量激活次数或高激活频率的字线，“WLL-1”和“WLL+1”指示相邻于字线“WLL”安置的字线。“CL”指示与字线“WLL”连接的存储器单元，“CL-1”指示与字线“WLL-1”连接的存储器单元，“CL+1”指示与字线“WLL+1”连接的存储器单元。各个存储器单元“CL”、“CL-1”和“CL+1”包括单元晶体管TL、TL-1和TL+1以及单元电容器CAPL、CAPL-1和CAPL+1。

在图1中，当字线“WLL”被激活或去激活时，字线“WLL-1”和“WLL+1”的电压由于字线“WLL”、“WLL-1”和“WLL+1”之中发生的耦合效应而增加或减小，并且对单元电容器CAPL-1和CAPL+1的电荷量产生影响。因此，字线“WLL”的频繁激活导致字线“WLL”在激活状态与去激活状态之间触发，并且引起储存在存储器单元“CL-1”和“CL+1”所包括的单元电容器CAPL-1和CAPL+1中的电荷量的增加改变，使得存储器单元“CL-1”和“CL+1”的数据可能劣化。

此外，随着字线在激活状态与去激活状态之间触发时产生的电磁波将电子引入至与相邻字线连接的存储器单元的单元电容器中或将电子从所述单元电容器放电，可能损坏数据。

发明内容

各种实施例针对一种存储器及包括所述存储器的存储系统，所述存储器可将与具有大量激活次数或高激活频率的字线相邻的字线相连接的存储器单元刷新，由此防止对存储器单元的数据的字线干扰。

此外，各种实施例针对一种存储器及包括所述存储器的存储系统，所述存储器可在没有命令或地址的情况下将与具有大量激活次数或高激活频率的字线相邻的字线相连接的存储器单元刷新，由此减少用于防止对存储器单元的数据的字线干扰所需的时间。

在一个实施例中，一种存储器可包括：多个字线，每个字线与一个或更多个存储器单元连接；地址检测单元，适用于检测多个字线之中的目标字线的目标地址，其中，目标字线具有满足预定条件的激活历史；以及控制单元，适用于：每当施加有刷新命令时激活多个字线之中的一个或更多个字线，以及在目标地址的检测之后响应于刷新命令而激活一个或更多个相邻字线，其中，相邻字线与目标字线相邻且通过目标地址来识别。