[发明专利]一种OLED发光器件及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种OLED发光器件，包括：衬底基板，依次设置在所述衬底基板上的第一电极、有机材料功能层、以及第二电极；其特征在于，

所述OLED器件还包括：设置在所述第一电极和所述衬底基板之间的非平坦层，且所述非平坦层与所述第一电极对应部分且远离所述衬底基板一侧的表面非平坦；

其中，位于所述OLED发光器件出光侧的第一电极和/或第二电极包括金属层。

2.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述非平坦层为掺杂有微小颗粒的光刻胶层；

其中，所述光刻胶层与所述第一电极对应部分且远离所述衬底基板一侧的表面露出所述微小颗粒。

3.根据权利要求2所述的OLED发光器件，其特征在于，所述微小颗粒的粒径小于10nm。

4.根据权利要求2所述的OLED发光器件，其特征在于，所述微小颗粒包括：微小的陶瓷颗粒、或微小的金属颗粒；

在所述微小颗粒包括微小的金属颗粒的情况下，所述OLED发光器件还包括设置在所述光刻胶层和所述第一电极之间的绝缘层。

5.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述非平坦层与所述第一电极对应部分包括多晶硅；

其中，所述多晶硅是对非晶硅进行晶化处理得到的。

6.根据权利要求1至5任一项所述的OLED发光器件，其特征在于，所述第一电极包括不透明的金属层，所述第二电极包括半透明金属层。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的OLED发光器件。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，还包括设置在衬底基板和所述OLED发光器件的非平坦层之间的薄膜晶体管；

其中，所述薄膜晶体管的漏极与所述OLED发光器件的第一电极电连接。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，在所述非平坦层为掺杂有微小颗粒的光刻胶层的情况下，所述微小颗粒的掺杂浓度在80％～90％之间。

10.一种OLED发光器件的制备方法，包括：在衬底基板上依次形成第一电极、有机材料功能层、以及第二电极；其特征在于，

所述方法还包括：在所述第一电极和所述衬底基板之间形成非平坦层，且所述非平坦层与所述第一电极对应部分且远离所述衬底基板一侧的表面非平坦；

其中，位于所述OLED发光器件出光侧的第一电极和/或第二电极包括金属层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述非平坦层为掺杂有微小颗粒的光刻胶层；其中，所述光刻胶层与所述第一电极对应部分且远离所述衬底基板一侧的表面露出所述微小颗粒；

形成所述光刻胶层包括：

在所述衬底基板上形成掺杂有微小颗粒的光刻胶薄膜；

采用半阶或灰阶掩模板对形成有所述光刻胶薄膜的基板进行曝光、显影后，形成光刻胶半保留部分和光刻胶完全保留部分；其中，所述光刻胶半保留部分与所述第一电极的区域对应，且所述光刻胶半保留部分的表面露出掺杂在其中的所述微小颗粒，所述光刻胶完全保留部分与其余区域对应，形成所述光刻胶层。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述非平坦层与所述第一电极对应部分包括多晶硅；

所述形成所述非平坦层包括：

在所述衬底基板上形成非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜与所述第一电极对应的区域进行晶化处理，使非晶硅转换为多晶硅，形成所述非平坦层。

13.根据权利要求10至12任一项所述的方法，其特征在于，所述第一电极包括不透明的金属层，所述第二电极包括半透明金属层。