[发明专利]在转接板工艺中采用CMP对基板表面进行平坦化的方法

权利要求书

1.在转接板工艺中采用CMP对基板表面进行平坦化的方法，其特征是，包括以下步骤：

(1)提供聚合物基板或表面覆有聚合物的基板，基板上聚合物的厚度在工艺要求的基础上增加10%~15%作为CMP研磨余量；所述聚合物为聚酰亚胺或苯丙二丁烯；

(2)对上述基板进行固化处理，使聚合物表面接触角小于70度； 

(3)在深孔刻蚀之前采用CMP对表面进行平坦化处理，达到表面均匀性为1%的平坦化要求；具体为采用2~3步研磨速率由高到低的CMP研磨，并在研磨后进行清洗处理；选用如下耗材：

(a)胶体研磨液，其中研磨颗粒包括氧化硅、氧化铈，或氧化铝；研磨颗粒大小范围为5~160nm;研磨液中研磨颗粒的含量在0.01wt%~20wt%范围内；PH应大于7；研磨液中包括20~80oC的温度范围内粘度稳定在18 mPa﹒s ~300 mPa﹒s之间的物质；

(b)活化聚合物表面，加快聚合物水解的添加剂，包括：去离子水，氢氧化钾，或四甲基氢氧化铵；

(c)硬度在50 shore D和60 shore D之间的硬质研磨垫与硬度小于50 shore D的软性研磨垫配合使用。

2.如权利要求1所述在转接板工艺中采用CMP对基板表面进行平坦化的方法，其特征是，步骤（2）对基板处理的方法是：在125~250摄氏度温度条件下烘烤30~60分钟。

3.如权利要求1所述在转接板工艺中采用CMP对基板表面进行平坦化的方法，其特征是，步骤（3）所述2步CMP研磨工艺过程如下：

(3.1) 在第一研磨台采用压力3psi~4psi，转速100rpm~130rpm，研磨液流量在150ml/min~300ml/min之间，在此条件下用大于1um/min的研磨速率对不平整的基板表面进行第一步粗略研磨；

(3.2) 在第二研磨台采用压力0.2psi~2psi，转速40~70rpm在软性研磨垫上以低于1um/min的研磨速率进行第二步CMP研磨工艺。

4.如权利要求1所述在转接板工艺中采用CMP对基板表面进行平坦化的方法，其特征是，步骤（3）所述3步CMP研磨的工艺过程如下：

(3.1) 在第一研磨台采用研磨头压力3psi~4psi，转速100rpm~130rpm，研磨液流量在150ml/min~300ml/min之间，在此条件下用大于1um/min的研磨速率对不平整的基板表面进行第一步粗略研磨；

(3.2) 在第二研磨台采用2psi~3psi的研磨头压力，转速100rpm~130rpm，研磨液流量150ml/min~300ml/min的工艺条件，用比第一步研磨低的研磨速率进行第二步精磨；

(3.3) 在第三研磨台采用压力0.2psi~2psi，转速40~70rpm在软性研磨垫上进行第三步CMP研磨工艺。

5.如权利要求1所述在转接板工艺中采用CMP对基板表面进行平坦化的方法，其特征是，步骤（3）所述研磨垫所用的微孔聚氨酯材料密度为0.13~1.6g/cm³。

6.如权利要求1在转接板工艺中采用CMP对基板表面进行平坦化的方法，其特征是，步骤（3）所述研磨液中所含粘性稳定的物质为甘油。