[发明专利]日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置及方法

说明书

技术领域

本发明涉及日盲紫外像增强器参数测试技术领域，具体涉及日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度的测试装置及方法。

背景技术

日盲紫外ICCD的研制是日盲紫外成像探测关键性的核心技术之一，其带外相对光谱响应度指在近紫外、可见及近红外谱段对入射辐照的响应能力，该参数主要用于体现日盲紫外ICCD对于带外辐射的响应能力优劣，准确测试带外相对光谱响应度对于实现其与滤光片的光谱优化匹配进而提升系统信噪比具有重要意义。目前对于可见光探测器及红外探测器的光电参量测试研究较为成熟，但是由于紫外ICCD探测原理与可见光和红外探测器有所不同，测试方法不能通用，而且系统复杂度高，参量测试难度较大，因此国内关于紫外ICCD性能参量测量方面的研究报道很少。赵玉环等于2009年采用直接比较法测定了紫外ICCD的相对光谱响应度，并基于具有优异紫外响应能力的科研级光谱仪建立了紫外ICCD光谱响应测量装置。但是，该方法仅能测试220nm-300nm谱段紫外ICCD的带内相对光谱响应，对于300nm以上的谱段，由于ICCD响应度较低且其建立的测试装置灵敏度及精度不够则无法测试。另外，该方法采用灰度值作为输出信号计算探测器的相对光谱响应，由于灰度值随着ICCD增益的增大而增大，因此存在很大的不确定性。紫外ICCD是由像增强器、光纤光锥、CCD及电子线路等封装而成。一旦封装完成，一些关键参量如相对光谱响应度等只能由如上文中所述的灰度值或者光子数等参量间接推知。相较于紫外ICCD整机，单纯对其中的像增强器进行相关光电参量测试，不仅更能直观且准确的表征紫外ICCD的性能，也可进一步指导国内研制单位开展工艺改进，进而提高器件性能，满足现阶段对紫外ICCD的性能需求，促进我国紫外成像探测技术的发展。

发明内容

本发明为解决无法准确表征日盲紫外ICCD相对光谱响应特性以及由于其带外响应极低，导致带外相对光谱响应度无法准确测试的问题，本发明提供一种日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置及方法。日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，包括光源；

暗箱，位于所述光源前方，暗箱的侧面设置有一个入光口；

可伸缩屏蔽罩，位于所述入光口和所述光源之间；

会聚透镜，位于所述可伸缩屏蔽罩内，用于将光源出射光全部收集以供测试；

陷阱探测器，位于所述暗箱内部，用于探测所述光源的输出光电流；

屏蔽盒，位于所述暗箱内部，用于盛载待测像增强器，对所述待测像增强器进行有效电磁屏蔽；

静电计，连接所述待测像增强器的输出信号端，用于探测光源通过待测像增强器后的输出电信号。

日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试方法，该方法由以下步骤实现：

步骤一、关闭暗箱的入光口，使陷阱探测器上无光照进入，测量所述陷阱探测器的输出电信号作为暗电流噪声，将陷阱探测器调零，并对暗电流噪声进行零位补偿；

步骤二、打开暗箱的入光口，由陷阱探测器探测光源的输出光电流I₀(λ)，然后关闭暗箱的入光口，使所述待测日盲紫外像增强器上无光照进入，由静电计测量待测像增强器的输出电信号作为暗电流噪声，将所述暗电流噪声设定为静电计的参考值；

步骤三、由所述静电计测量光源通过待测日盲紫外像增强器的输出电信号I_t(λ)；

步骤四、根据步骤二和步骤三获得的电信号，计算日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度：