[发明专利]自定位窄边电桥波导及其真空钎焊工艺

权利要求书

1.自定位窄边电桥波导，其特征在于：它包括盖板（1）、腔体（2）和法兰（3），法兰（3）包括上半部法兰和下半部法兰 ，上半部法兰与盖板（1）一体成型，下半部法兰与腔体（2）一体成型；盖板（1）的四周设有凸台（4），腔体（2）的四周设有与凸台（4）相匹配的凹槽（5），盖板（1）、腔体（2）通过真空钎焊焊接在一起。

2.自定位窄边电桥波导真空钎焊工艺，其特征在于：它包括以下步骤：

S1：根据设计完成盖板（1）、腔体（2）的机械加工；

S2：将机械加工完成的盖板（1）、腔体（2）分别进行表面处理；

S3：制作钎料，根据盖板（1）、腔体（2）相结合的接触面尺寸制作钎料，并将钎料装配在腔体（2）上，盖板（1）、腔体（2）进行装配；

S4：真空钎焊，将装配好的波导固定在工装夹具上，放入真空铝钎焊炉中进行真空钎焊，真空铝钎焊炉中的钎焊温度为615℃时完成真空钎焊，随炉冷却；

S5:对波导的外形及法兰作进一步的数控加工，进行钻孔及对法兰盘进行绞孔；

S6：电化学处理，其具体步骤为：

S61：除油：采用有机溶剂对电桥波导进行除油；

S62：浸蚀：用8%～10%NaOH水溶液浸蚀除油后的电桥波导；

S63：第一次冲洗：用热水反复冲洗浸蚀后的电桥波导；

S64：光亮浸蚀：室温下用30%～50%HNO₃溶液进行光亮浸蚀；

S65：第二次冲洗：用冷水反复冲洗光亮浸蚀后的电桥波导；

S66：导电氧化：将电桥波导浸入由0.5%～0.7%CrO₃、0.05%～0.1%K₃Fe（CN）₆和0.1%～0.15%NaF组成的混合液中进行浸蚀；

S67：第三次冲洗：将导电氧化后的电桥波导浸入流水中进行反复冲洗；

S68：干燥。

3.根据权利要求2所述的自定位窄边电桥波导真空钎焊工艺，其特征在于：所述盖板（1）的加工工艺包括以下子步骤：

S11：切割，根据电桥波导设计将原材料水切割成盖板外形，预留加工余量3～5mm，厚度余量3～5mm；

S12：粗铣加工，对数控铣床进行编程，完成盖板的粗铣加工，预留加工余量1～3mm；

S13：消除应力退火，消除应力退火的温度为：250℃～280℃；

S14：精铣加工，对数控铣床进行再次编程，完成盖板的精铣加工。

4.根据权利要求2所述的自定位窄边电桥波导真空钎焊工艺，其特征在于：所述腔体（2）的加工工艺包括以下子步骤：

S21：切割，根据电桥波导设计将原材料水切割成腔体外形，预留加工余量3～5mm，厚度余量3～5mm；

S22：粗铣加工，对数控铣床进行编程，完成腔体型腔的粗铣加工，预留加工余量1～3mm；

S23：消除应力退火，消除应力退火的温度为：250℃～280℃；

S24：精铣加工，对数控铣床进行再次编程，完成腔体型腔的精铣加工。

5.根据权利要求2所述的自定位窄边电桥波导真空钎焊工艺，其特征在于：所述盖板（1）和腔体（2）四周各端面各留2～3mm加工余量。

6.所述盖板（1）上设有凸台（4）；所述腔体（2）上设有与凸台（4）相匹配的凹槽（5），凸台（4）和凹槽（5）扣除焊片的嵌入厚度，单边再各留0.02～0.04mm间隙。