[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；

对所述硅通孔实施预处理，以去除所述硅通孔的侧壁和底部上的不良坏点，并在所述硅通孔的侧壁和底部依次沉积形成第一衬垫层和第二衬垫层，其中，所述第一衬垫层的构成材料为以硅烷为基体的低温氧化物，所述第二衬垫层的构成材料为以四乙氧基硅烷为基体的低温氧化物；

对所述第二衬垫层实施氮化处理，并沉积形成覆盖所述第二衬垫层的覆盖层，其中，所述覆盖层的构成材料为低温氮化硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预处理依次包括：对所述半导体衬底实施炉温烘焙处理，以实现脱气的目的；实施湿法蚀刻，以去除所述硅通孔在所述烘焙过程中吸附杂质的部分；对所述硅通孔实施等离子体表面处理，所述等离子体为Ar和N₂O。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述炉温烘焙处理的温度为190-210℃，处理时间为1.5-2.5小时，压力为0.5-1.5标准大气压。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻的腐蚀液为H₂SO₄和H₂O的混合物，处理时间为40-50分钟。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述Ar的流量为1500-2500sccm，所述N₂O的流量为2500-3500sccm，所述等离子体表面处理的处理时间为55-65秒，压力为4-6Torr，功率为400-600W。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化处理所采用的等离子体为Ar、N₂和NH₃，所述Ar的流量为1500-2500sccm，所述N₂的流量为2500-3500sccm，所述NH₃的流量为40-60sccm，所述氮化处理的处理时间为250-350秒，压力为4-6Torr，功率为400-600W。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述低温氮化硅的工艺参数包括：SiH₄的流量为40-60sccm，NH₃的流量为200-300sccm，处理时间为25-35秒，压力为3.0-4.0Torr，功率为350-450W。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述硅通孔的步骤包括：在所述半导体衬底上形成光刻胶层；通过曝光、显影在所述光刻胶层中形成所述硅通孔的顶部开口的图案；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，蚀刻所述半导体衬底以在其中形成所述硅通孔；通过灰化去除所述光刻胶层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述覆盖层之后，还包括以下步骤：通过干法蚀刻去除位于所述硅通孔的底部的所述覆盖层、所述第二衬垫层和所述第一衬垫层；在所述硅通孔中依次形成阻挡层、导电种子层和导电层；执行化学机械研磨直至露出所述硅通孔的顶部。