[发明专利]一种制备电润湿显示支撑板的方法有效

专利信息
申请号: 201410159289.1 申请日: 2014-06-20
公开(公告)号: CN104090360B 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 周国富;吴昊;罗伯特·安德鲁·海耶斯;李发宏 申请(专利权)人: 华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院
主分类号: G02B26/00 分类号: G02B26/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 代理人: 冯剑明
地址: 510631 广东省广州市大学城*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 润湿 显示 支撑 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种制备显示支撑板的方法,尤其涉及一种制备电润湿显示支撑板的方法。

背景技术

诸如国际专利申请WO2003/071346中描述的电润湿显示装置包括两个支撑板。在其中一个支撑板上设置有壁图案(像元壁),该图案限定显示装置的图像元素。图像元素(可以是像素或亚像素)的壁之间的区域被称作显示区,在该显示区上产生显示效果。电润湿显示装置的像素显示区中的支撑板的区域在很大范围上必须疏水,以用于图像元素的适当操作。在制造期间,支撑板中图像元素所处的区域由疏水层覆盖,而图像元素的壁则由亲水材料制成。通过在疏水层上沉积壁材料层并且使用(例如)光刻法来图案化该壁材料层,从而在疏水层上制造壁。

壁材料层与疏水层之间的附着力相对较弱,导致壁材料层易于从疏水层剥离。已知在涂覆壁材料层之前降低疏水层的疏水性,例如通过反应离子蚀刻。形成壁之后,将疏水层热处理,以便恢复其疏水性。然而,使用该方法制造的显示装置的质量并不令人满意。

其他方法是使用光刻步骤,通过在暴露区域应用(例如)反应离子蚀刻、等离子体或UV臭氧处理而仅仅降低预定区域中的疏水性。缺点在于需要额外的光刻步骤以及伴随着增加的分层风险难以对均匀疏水面应用光刻处理。(摘自专利CN102792207A)

也有另一种办法:设置具有疏水层的支撑板;在疏水层上布置亲水材料的图案;以及通过溶剂去除疏水层的表面层。(专利CN102804023的方法)但溶剂去除疏水层表面层难以控制,以及影响亲水材料对疏水层的粘附力。

现有技术的显示装置质量不令人满意的一个主要原因是由于在显示装置的延伸操作之后在关闭电场时像元中的油类缓慢回流或者不回流。将亲水材料布置在疏水层上,需要降低疏水层的疏水性,这种处理被认为影响疏水层而导致了所述回流问题。已知的热处理疏水层以恢复它的疏水性的处理步骤不能充分地解决该回流问题。而溶解疏水层表面的方法也存在难以控制溶解速率及平整度的问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种先进的制备电润湿显示支撑板的方法。

为了实现上述目的,本发明采用以下的技术方案:

根据本发明的一个方面,提出了一种制备电润湿显示支撑板的方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)在一支撑板上设置像元壁,其中所述像元壁由亲水材料制成并具有一高度;

2)在所述支撑板和像元壁上施加一疏水材料层;

3)在疏水材料层上设置至少一层保护层,其在处于液态时流入像元壁所包围的凹槽中并完全覆盖凹槽中的疏水层部分;

4)去除像元壁上部的疏水材料层;

5)清洗掉保护层。

优选地,在步骤3)中,像元壁上部的整个疏水层裸露未被保护层覆盖,或像元壁上部的疏水层至少部分被一较薄保护层覆盖,其中且该较薄保护层的厚度小于所述凹槽中的保护层厚度;在步骤4)中,所述去除处理包括蚀刻处理,且控制所述蚀刻处理使像元壁上部的较薄保护层和像元壁上部的疏水层被蚀刻掉,而所述凹槽中的保护层不被蚀刻至裸露出疏水层。

优选地,在步骤3)中,像元壁上部的疏水层至少部分被保护层覆盖;在步骤4)中,经由光刻工艺选择性地去除像元壁上部的保护层和像元壁上部的疏水材料层。

优选地,在步骤1)中,所述像元壁的高度为不小于2μm。

优选地,所述疏水层的厚度为100nm-2000nm。

优选地,所述保护层包括适用于光刻或蚀刻工艺的可清洗掉的材料。

优选地,所述保护层设置为,在步骤4)中,被保护层覆盖的凹槽中的疏水层部分不被蚀刻,且控制蚀刻处理使蚀刻后的像元壁的高度为2-20μm。

优选地,控制蚀刻处理使蚀刻后的像元壁的高度为3-12μm。

根据本发明的另一方面,提出了一种电润湿显示支撑板,其利用上述的制备电润湿显示支撑板的方法制造。

与现有技术相比,本发明具有以下显著优点和有益效果:

根据本法发明的方法,疏水层表层完全不需要经过降低疏水性的处理,也不受到溶解的损伤,清洗遮挡层的溶液不对疏水层造成损伤,所以完全保留了疏水层表面的最佳的疏水性及平整性。可以很好的解决回流问题。

附图说明

以下结合附图,对本发明的实施例进行详细的描述:

图1a为基于现有电湿润显示技术的一像元结构的侧视图;

图1b为所述像元结构的俯视图;

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