[发明专利]芯片用树脂膜形成用片材及半导体芯片的制造方法

说明书

本申请是下述申请的分案申请:

发明名称：芯片用树脂膜形成用片材及半导体芯片的制造方法

国际申请日：2011年3月30日

国家申请号：201180017214.4

技术领域

本发明涉及能够在半导体芯片的背面高效地形成具有吸杂（gettering）效果的树脂膜、以及能够提高芯片的制造效率的芯片用树脂膜形成用片材。特别地，本发明涉及在制造以所谓的面朝下（face down）方式安装的半导体芯片时使用的芯片用树脂膜形成用片材。另外，本发明还涉及使用了上述芯片用树脂膜形成用片材的半导体芯片的制造方法。

背景技术

近年来，基于元件小型化的要求，期望削薄半导体芯片的厚度。半导体晶片在表面形成电路后，通过背面研削来研削到规定的厚度。因此，为了元件的小型化，常常通过背面研削来将晶片研削得更薄。但是，随着晶片的厚度变薄，晶片强度降低，有时晶片即使仅受到微小的冲击也会发生破损。作为晶片破损的主要原因，认为背面研削时使用的研磨机的切削痕或氧化覆膜等复合而成的“破碎层”是主要因素。

破碎层被认为是经研削的晶片表面的微细的凹凸、硅的多晶体或者硅处于被少量氧氧化的状态、并包含有晶格缺陷。由于表面的凹凸或组成变化等所产生的应力，有时即使受到微小的冲击也会引起裂缝，从而导致晶片破损。因此，在背面研削结束后，为了除去破碎层，通常的做法是在背面实施化学蚀刻或等离子体蚀刻等。通过除去破碎层，晶片的强度提高，即使是被研削到极薄的晶片也能维持良好的操作性。

但是，却有通过除去破碎层而得到的晶片、芯片对金属的耐污染性降低的顾虑。

半导体晶片在电路形成时、背面研削时以及安装时都会接触到各种部件。此时，从这些其他的部件会释放铜等金属，晶片有时会受到金属污染。杂质金属可能在晶片内蓄积、在回流等加热条件下发生离子化并在晶片内移动。于是，到达电路表面的金属离子会阻碍制品的电气动作、成为误动作的原因。另外，到达电路表面的金属离子有时会在电路表面生成金属（这些现象有时被称为迁移）。特别是一旦在微细化布线的半导体晶片表面生成金属，就会导致电路短路，降低制品的合格率。

另一方面，如上所述，破碎层被认为是微细的凹凸、硅的多晶体或者硅处于被少量氧氧化的状态、并包含有晶格缺陷，并且认为由于这些组成、结构的不均匀性，破碎层具有易于捕获所述的杂质金属从而降低金属污染的影响的作用。这样的破碎层的功能也被称为吸杂功能。

如此，尽管通过在晶片的背面研削结束后除去破碎层，晶片的强度提高，但吸杂功能受损，制品合格率降低。因此，提出了通过对除去破碎层后的半导体晶片、芯片进行各种处理来赋予其吸杂功能的技术（专利文献1、2）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2005－277116号公报

专利文献2:日本特开2007－242713号公报

发明内容

发明欲解决的课题

但是，如专利文献1、2所示，对半导体晶片、芯片实施赋予其吸杂功能的处理会导致工序数增加、工艺变得烦杂、成本提高。

本发明正是鉴于上述情况而完成的，本发明的目的在于在对半导体晶片、芯片不实施诸如工序数增加、工艺变得烦杂等的特别处理的情况下，赋予所得到的半导体装置以吸杂功能。

用于解决课题的手段

本发明的发明人为了解决上述课题进行了深入研究，结果想到了通过赋予在半导体芯片的背面形成的树脂膜以吸杂功能，从而能够向半导体装置内导入吸杂位点的技术方案，由此完成了本发明。

本发明包含以下要点。

（1）一种芯片用树脂膜形成用片材，其具有剥离片材和在所述剥离片材的剥离面上形成的树脂膜形成层，且

所述树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分（A）、固化性成分（B）和吸杂剂（C）。

（2）根据（1）所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，吸杂剂（C）选自由重金属钝化剂（C1）、有机螯合剂（C2）和铜离子捕获金属化合物（C3）组成的组。

（3）根据（1）或（2）所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，如下定义的吸杂剂（C）的铜离子吸附能力为30％以上：

将吸杂剂1g加入到铜离子浓度为3ppm的氯化铜水溶液50g中，测定在121℃、2个大气压下放置24小时后的所述铜离子水溶液的铜离子浓度，利用下式求出铜离子吸附能力：

铜离子吸附能力＝（3ppm－残留铜离子浓度（ppm））×100/3ppm。