[发明专利]一种金属氧化物纳米晶须/Si复合材料及其催化生长方法

权利要求书

1.一种金属氧化物纳米晶须/Si复合材料催化生长方法，具体步骤如下：

a)溶液的配置：（1）0.0001mol/L～1mol/L的催化剂溶液，加入1mol/L～6mol/L的氢氟酸，（2）0.05mol/L～6mol/L的氢氟酸/双氧水蚀刻液，（3）0.0001mol/L～5mol/L金属离子的纳米晶须生长母液；

b)电池片的预处理：将已经制好p-n结的晶硅电池片快速浸渍到催化剂溶液中1～200s，使电池片表面形成金属氧化物晶种；取出后沉浸到蚀刻液中1～200s，进行各向异性腐蚀，取出后沥水，吹干；

c)纳米晶须的生长：将上述电池片快速移入母液中1～100s，进行纳米晶须的生长蚀刻；

d)洗涤处理：用去离子水清洗1～5min，吹干；

e)热处理：将洗涤后的电池片在100℃～400℃热处理1～30min。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物纳米晶须/Si复合材料催化生长方法，其特征在于：所述的催化剂溶液为铜、银、铂或金金属的氯化物、醋酸盐或硝酸盐中的一种。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物纳米晶须/Si复合材料催化生长方法，其特征在于：所述的电池片预处理需在氢氟酸/双氧水的混合酸中进行各向异性腐蚀。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物纳米晶须/Si复合材料催化生长方法，其特征在于：所述的纳米晶须生长母液为铅、锌、镉、铜、锑或铁的醋酸盐、氯化盐或硝酸盐中的一种。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物纳米晶须/Si复合材料催化生长方法，其特征在于：所述的晶硅电池片为单晶硅、多晶硅、非晶硅或微晶硅的半成品太阳能电池片。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的方法制备的金属氧化物纳米晶须/Si复合材料，其特征在于：所制备的金属氧化物纳米晶须/Si复合材料均匀、有序，粒径10～50nm，厚度在20～100nm。