[发明专利]利用银纳米线改善了雾度及导电度的透明导体在审

专利信息
申请号: 201410148094.7 申请日: 2014-04-14
公开(公告)号: CN104916344A 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 王太俊;李基薰;朴宰弘;李殷旭;权英帅 申请(专利权)人: 艾登株式会社
主分类号: H01B1/00 分类号: H01B1/00;H01B1/02;H01B5/14
代理公司: 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 代理人: 郑青松
地址: 韩国忠*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 利用 纳米 改善 导电 透明 导体
【说明书】:

技术领域

本发明涉及透明导体,涉及具有优秀的电特性及光学特性的利用银纳米线的透明导体。

背景技术

最近,透明导体被广泛使用于触控面板(touch panel)、液晶显示器(liquid crystal display)、有机发光二极管器件(organic light emitting diode devices)及薄膜光电池(thin film photovoltaic cells)等领域。具有代表性的透明导电性导电体为ITO基板。

但是,像ITO的金属氧化物导电体因其反应工程复杂,为了体现更高的导电度而沉积厚厚的氧化物层,需要高温的退火(annealing)。因此具有透光度低、不具有柔韧性的缺点。

因此,最近正在开发并量产具有较高导电度、优秀的透光度及柔韧性的基于银纳米线的透明导体。

现有的基于银纳米线的透明导体使用直径为40nm、长度为30μm的银纳米线,大约薄层电阻(sheet resistance)90~100Ω/m2、透光度92%及雾度(haze)1.8%。并且,使用平均直径为30nm、平均长度为25μm的银纳米线的透明导体,呈现薄层电阻80Ω/m2、透光度91%及雾度(haze,雾度)0.9~1.2%。因此,基于现有银纳米线的透明导体,虽然呈现优秀的薄层电阻及透光度,但对于雾度,分别为1.8%及0.9~1.2%,相比ITO,具有较高的雾度。

尤其,为了使用为透明电极而在透明导体上实施电极图案,因银纳米线的较高雾度,图案部分与非图案部分被区分而呈现导电电极,成为视认性不良的原因。

银纳米线产生雾度的原因如下。银纳米线如图1,呈现具有结晶面111和100的五角柱形状。结晶面100具有平面结构,对光的反射率非常高。为了减少基于银纳米线的透明导体的雾度,要减少银纳米线的含量,但减少透明电极上的银纳米线的含量,薄层电阻会上升。

作为解决问题的方法,为了减少雾度及薄层电阻,国际专利申请公报PCT/US2006/031918号公开了导电层上追加包括反射防止层、防眩目层等的透明导体。

并且,韩国专利申请公报10-2011-0113129,为了减少雾度而减少银纳米线含量的过程中,为了减少上升的薄层电阻而提出了光烧结。

所述提出的方法之外,以多种方法提出了减少雾度及薄层电阻的方法,但目前为止,不足以替代ITO基板。

因此,需要提供一种技术,能够提供具有适当的电性、光学性以及机械特性的透明导体,尤其是能够适用于对多种基板,还能以较低的费用、高处理率用于工程制造透明导体。

发明内容

(要解决的技术问题)

本发明的目的在于,提供一种利用银纳米线的透明导体,适合提高透光率、有效减少薄层电阻及雾度。

(解决问题的手段)

为了解决上述技术问题,本发明提供的透明导体,包括:基板,透明的;导电层,所述基板上,平均直径15~22nm、平均长度10~20μm的多个银纳米线通过粘合剂结合而形成导电性网络;及保护层,所述导电层上形成。这时,所述基板为透明的硬性基板或软性基板。

优选地,所述基板上还包括硬膜层。

优选地,所述纳米线相对于基板面积,为10~25mg/m2

优选地,所述粘合剂由纤维素系、聚乙烯系、丙烯酸系、聚氨酯系、丙烯酸-聚氨酯共聚物中的至少一个以上构成。

优选地,所述粘合剂由羟丙基甲基纤维素(HPMC)或甲基纤维素(MC)、或乙基纤维素(EC)中的至少一个以上构成。这时,所述粘合剂还可包括至少一个以上的聚氨酯或丙烯酸系粘合剂。

优选地,所述保护层,由丙烯酸系单量体、聚氨酯系单量体、丙烯酸-聚氨酯单量体中至少一个以上的单量体和架桥剂混合而成。

优选地,所述透明导体具有50Ω/m2以下的薄层电阻、90%以上的透光度及0.8%以下的雾度。

优选地,所述基板下部还包括:其他导电层,平均直径15~22nm、平均长度10~20μm的多个银纳米线通过粘合剂结合而形成导电性网络;及其他保护层,在所述其他导电层下部上形成。

优选地,所述透明导体,表面被加压,或被照射光或热能。

(发明的效果)

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