[发明专利]串并联型晶闸管开关自触发方法在审
申请号: | 201410145256.1 | 申请日: | 2014-04-11 |
公开(公告)号: | CN104184444A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 王世蓉;李民族 | 申请(专利权)人: | 贵州理工学院 |
主分类号: | H03K17/72 | 分类号: | H03K17/72 |
代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人: | 李亮;程新敏 |
地址: | 550006 贵州省贵阳*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 串并联 晶闸管 开关 触发 方法 | ||
1.一种串并联型晶闸管开关自触发方法,其特征在于:在构成串并联晶闸管开关的每个反并联晶闸管对的晶闸管的控制极G和阴极K间并接有二级管D和电容C,然后通过一个电感L和一个可控开关KC把两个晶闸管的控制级G串联联结起来,构成该晶闸管对的自触发电路;两个以上的反并联晶闸管对串联或并联联接构成串并联型晶闸管开关,它们各将一个负载串联接入交流电网时,只需同时接通各晶闸管对自触发电路的控制隔离开关KC,将在正向电压作用的各晶闸管的控制极G和阴极K间的电容C上同时产生触发电压UG,而使该类晶闸管同时导通,其触发电压电源直接取自于晶闸管的正向主电压,从而实现串并联型晶闸管开关的自触发。
2.根据权利要求1所述的串并联型晶闸管开关自触发方法,其特征还在于:根据串联电路电感L和电容C电压分布特点,选择每个晶闸管对自触发电路的电感L和控制极一阴极间的电容C的参数,可使待通晶闸管触发电压UG前沿的上升陡度远高于它们的正向主电压前沿上升陡度,从而保证串并联晶闸管对触发脉冲的要求,同时还应保证对应晶闸管导通前触发电压UG不超过二级管D和小容量电容C的耐压强度。
3.根据权利要求1所述的串并联型晶闸管开关自触发方法,其特征在于:所述的可控开关KC由光控双向晶闸管开关GKT以及直流电源DC组成;每个光控双向晶闸管开关GKT的双向可控硅串联在对应晶闸管对的任一控制极G与电感L之间,所有光控双向晶闸管开关GKT的发光二极管与直流电源DC并联;通过控制直流电源DC的通断就可同时控制这个开关的通断。
4.根据权利要求1所述的串并联型晶闸管开关自触发方法,其特征在于:所述的可控开关KC为光纤控制的光控双向晶闸管开关GQKT,每个光纤控制的光控双向晶闸管开关GQKT的双向可控硅串联在对应晶闸管对的任一控制极G和电感L之间,所有光控双向晶闸管开关GQKT的光纤4连接在控制器3上;控制器3通过光纤同时向各光控双向晶闸管开关GQKT发出光纤信号,实现对它们的同时控制。
5.根据权利要求1所述的串并联型晶闸管开关自触发方法,其特征在于:所述的可控开关KC为控制隔离变压器BK,每个控制隔离变压器BK的一次绕组串接在对应晶闸管对的两个控制极G之间,取消了电感L;所有的隔离变压器BK的二次绕组相互并联后再和一个光控双向晶闸管开关GKT并联,控制器只需控制GKT的发光二极管的电源通断,就可控制光控双向晶闸管开关GKT的通断;当每个BK二次绕组被GKT接通短接时,每个BK呈现漏电感L6,而取代L:当每个BK的二次绕组被GKT断开时,BK就呈现很大的激磁电感,相当于各可控开关KC处于断开状态。
6.根据权利要求1所述的串并联型晶闸管开关自触发方法,其特征在于:所述的可控开关KC为多个一次绕组的控制隔离变压器BK,它的每个一次绕组串接在对应晶闸管对的两个控制极G之间,取消了电感L;它的二次绕组并联一个光控双向晶闸管开关GKT,控制器只需控制GKT的发光二极管的电源通断,就可控制光控双向晶闸管开关GKT的通断;当BK二次绕组被GKT接通短接时, BK的每个一次绕组呈现漏电感L6,而取代L:当BK的二次绕组被GKT断开时,BK的每个一次绕组就呈现很大的激磁电感,相当于各可控开关KC处于断开状态。
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