[发明专利]芯片和芯片装置有效
| 申请号： | 201410143506.8 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104103680B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | R·奥特雷姆巴;J·赫格劳尔;J·施雷德尔;X·施勒格尔;K·希斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 装置 | ||
1.一种芯片，包括：
本体，包括两个主表面和多个侧表面；
第一功率电极，在所述本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸；
第二功率电极，在所述本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸。
2.根据权利要求1所述的芯片，
其中所述第一功率电极和所述第二功率电极中的至少一个在所述本体的多个所述侧表面的至少一部分之上延伸。
3.根据权利要求1所述的芯片，
其中所述第一功率电极和所述第二功率电极中的至少一个在所述本体的两个主表面的一部分之上延伸。
4.根据权利要求1所述的芯片，
其中所述第一功率电极和所述第二功率电极具有对称布置。
5.根据权利要求1所述的芯片，
其中所述第一功率电极和所述第二功率电极中的至少一个由选自由以下项构成的金属组的金属制成：Cu、Ni、Ti、Au、Ag、Pd、Pt、W。
6.根据权利要求1所述的芯片，
被配置为功率晶体管。
7.根据权利要求6所述的芯片，进一步包括：
所述功率晶体管的控制电极。
8.根据权利要求7所述的芯片，
其中所述控制电极和两个功率电极被布置在所述本体的相同主表面上。
9.根据权利要求7所述的芯片，
其中所述控制电极被布置在不同于所述功率电极的所述本体的另一主表面上。
10.根据权利要求7所述的芯片，
被配置为功率场效应晶体管；
其中所述第一功率电极是源极电极，并且所述第二功率电极是漏极电极；并且
其中所述控制电极是栅极电极。
11.根据权利要求7所述的芯片，
被配置为双极型晶体管；
其中所述第一功率电极是发射极电极，并且所述第二功率电极是集电极电极；并且
其中所述控制电极是基极电极。
12.一种芯片装置，包括：
芯片载体；以及
芯片，被布置在所述芯片载体之上，包括：
本体，包括两个主表面和多个侧表面；
第一功率电极，在所述本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸；
第二功率电极，在所述本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸。
13.根据权利要求12所述的芯片装置，
其中所述芯片是裸芯片。
14.根据权利要求12所述的芯片装置，
其中所述芯片载体是FR4基底、DCB和隔离金属基底（IMS）中的一个。
15.根据权利要求12所述的芯片装置，进一步包括：
包封材料，包封所述芯片载体和所述芯片。
16.根据权利要求12所述的芯片装置，
其中所述芯片载体是引线框架。
17.根据权利要求16所述的芯片装置，
其中所述引线框架是结构化引线框架。
18.一种用于制造芯片的方法，所述方法包括：
提供包括两个主表面和多个侧表面的本体；
形成在所述本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸的第一功率电极；
形成在所述本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸的第二功率电极。
19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：
将所述第一功率电极和所述第二功率电极中的至少一个形成为在所述本体的多个所述侧表面的至少一部分之上延伸。
20.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：
将所述第一功率电极和所述第二功率电极中的至少一个形成为在所述本体的两个主表面的一部分之上延伸。
21.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：
以对称布置来形成所述第一功率电极和所述第二功率电极。
22.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：
形成控制电极。
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