[发明专利]一种在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法有效
| 申请号： | 201410128252.2 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103966662A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陆文强;宋金会;王亮;李奇昆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B29/16;C30B29/62;H01L21/283;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 定位 横向 生长 氧化锌 纳米 方法 | ||
1.一种化学气相沉积在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法，包括锌蒸气制备、锌蒸气输运和氧化锌合成沉积步骤，其特征在于：所述硅电极生长面具有棱边，锌蒸气输运步骤中，锌蒸气与硅电极生长面接触时速度方向与硅电极生长面呈85-95°夹角。
2.根据权利要求1所述化学气相沉积在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法，其特征在于：所用载流气体为氮气，反应气体为氧气和锌蒸气。
3.根据权利要求2所述化学气相沉积在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法，其特征在于：所述氮气的流速为80-100sccm。
4.根据权利要求2所述化学气相沉积在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法，其特征在于：所述氧气的流速为1.0-2.0sccm。
5.根据权利要求1所述化学气相沉积在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法，其特征在于：所述锌蒸气由氧化锌颗粒和石墨在900-970℃反应制得。
6.根据权利要求1所述化学气相沉积在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法，其特征在于：所述氧化锌由氧气和锌蒸气反应制得，反应压力为270-330毫巴，反应温度为900-970℃。
7.根据权利要求1-6任意一项所述化学气相沉积在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法，其特征在于：锌蒸气与硅电极生长面接触时的速度方向与重力方向呈0-5°夹角。
8.根据权利要求7所述化学气相沉积在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法，其特征在于：硅电极生长面向下，放置在氧化锌颗粒和石墨正上方1-15mm处。
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