[发明专利]存储器件、以及存储器件和存储系统的操作方法

说明书

一种存储器件的操作方法包括以下步骤：进入修复模式；响应于修复模式的进入，而将设定数据的输入路径从设定路径改变成修复路径；与设定命令一起接收设定数据；在所述接收被重复设定的次数之后结束修复模式；响应于修复模式的结束，而将设定数据的输入路径从修复路径改变成设定路径；以及利用设定数据而将用于存储器件的缺陷存储器单元的修复地址编程至非易失性存储器。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年10月7日提交的申请号为10-2013-0119045的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种存储器件和包括所述存储器件的存储系统，且更具体而言，涉及一种修复相关的技术。

背景技术

图1是用于解释在典型的存储器件（例如，DRAM）中的修复操作的视图。

图1说明与存储器件中的一个存储体相对应的配置。参见图1，存储器件包括：存储器阵列110，其包括多个存储器单元；行电路120，用于激活通过行地址R_ADD选中的字线；以及列电路130，用于存取（读取或写入）通过列地址选中的位线的数据。

行熔丝电路140将与存储器阵列110中的缺陷存储器单元相对应的行地址作为修复行地址REPAIR_R_ADD存储。行修复电路150将存储在行熔丝电路140中的修复行地址REPAIR_R_ADD与从存储器件的外部输入的行地址R_ADD进行比较。当修复行地址REPAIR_R_ADD与行地址R_ADD一致时，行修复电路150控制行电路120来激活冗余字线以代替由行地址R_ADD表示的字线。即，与存储在行熔丝电路140中的修复行地址REPAIR_R_ADD相对应的行（字线）用冗余行（字线）来代替。

在图1中，信号RACT表示如下的信号：响应于用于激活存储器阵列110中的字线的激活命令而被激活，而响应于用于去激活字线的预充电命令而被去激活。此外，信号RD表示读取命令，而信号WR表示写入命令。

在行熔丝电路140中，主要使用激光熔丝。激光熔丝根据熔丝是否被切断来存储“高”或“低”数据。激光熔丝可以在晶片状态下被编程，但是不能在晶片被安装在封装体中之后来编程激光熔丝。因为在减少激光熔丝的节距方面存在限制，所以难以设计具有小面积的激光熔丝。

因此，如在美国专利登记号为6904751、6777757、6667902、7173851和7269047中所公开的，诸如E熔丝阵列电路、与非（NAND）快闪存储器、或非（NOR）快闪存储器、MRAM（磁性随机存取存储器）、STT-MRAM（自旋转移力矩-磁性随机存取存储器）、ReRAM（电阻式随机存取存储器）、或者PCRAM（相变随机存取存储器）的非易失性存储器中的一种包括在存储器件中，且修复信息（修复地址）存储在非易失性存储器中以供使用。

图2是说明非易失性存储器用于存储器件中以存储修复信息的实例的视图。

参见图2，存储器件包括：多个存储体BK0至BK3、被提供至相应的存储体BK0至BK3来存储修复信息的寄存器210_0至210_3、以及非易失性存储器201。

非易失性存储器201代替熔丝电路140。非易失性存储器201存储与全部的存储体BK0至BK3相对应的修复信息，即修复地址。非易失性存储器可以包括非易失性存储器中的一种，诸如：E熔丝阵列电路、与非（NAND）快闪存储器、或非（NOR）快闪存储器、MRAM（磁性随机存取存储器）、STT-MRAM（自旋转移力矩-磁性随机存取存储器）、ReRAM（电阻式随机存取存储器）、或者PCRAM（相变随机存取存储器）。